理学
问答题试比较单晶和多晶的电子衍射谱，并说明多晶电子衍射谱中环形花样形成的原因。
题目
问答题
试比较单晶和多晶的电子衍射谱，并说明多晶电子衍射谱中环形花样形成的原因。
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相似问题和答案
第1题：
测试校准原则：多晶对多晶，单晶对单晶
正确答案:正确
第2题：
为什么单晶的电子衍射是有序亮斑而无定型体则为环状？
正确答案:单晶由于只有一个晶格，电子衍射图样是大量衍射亮点，排布成环状。无定形体是由多个晶粒组成的，其电子衍射花样是连续的同心圆环。
第3题：
硅提纯及制备工艺流程正确的是()。
A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅
B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅
C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅
D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
参考答案：C
第4题：
BIPV组件排版设计条件：（）、（）、（）、（）、（）（如：单晶、多晶、双面）。
正确答案:外形尺寸；透光面积；峰值功率；峰值电压；电池片类型
第5题：
叙述单晶、多晶和非晶体衍射花样的特征。
正确答案:单晶的电子衍射花样由排列得十分整齐的许多斑点组成，多晶体的电子衍射花样是一系列不同半径的同心圆环，非晶体的电子衍射花样只有一个漫射的中心斑。
第6题：
单晶体和多晶体塑型变形的实质是什么？
正确答案: 在切应力的作用下产生滑移，滑移是单晶体塑性变形的主要形式，滑移的结果使晶粒被拉长。多晶体的塑性变形中，除了各晶体粒内部的滑移变形（晶内变形）外，还存在着晶粒之间的转动和滑动（晶间变形），晶间变形一般很小，因此多晶体的变形主要是晶内滑移变形。
第7题：
简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
正确答案: 三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。
（1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。
（2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次。
（3）桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次。
第8题：
公司使用的电池片可分为多晶和单晶两种，其中多晶电池片又可分为多晶体单晶面与多晶体多晶面。
正确答案:正确
第9题：
比较仪器结构比较多晶X射线衍射仪与四圆单晶X射线衍射仪的异同。
正确答案:多晶X射线衍射仪与四圆单晶X射线衍射仪均基于晶体衍射原理，多晶X射线衍的特点是各种晶面的随机分布，因此只需要测角仪与样品检测器为θ～2θ联动，就可检测到晶体参数；而四圆单晶X射线衍射仪则需要样品台四园联动联动，调整单晶的各个晶面产生衍射，检测的目的不仅仅是获得晶体的各种晶体参数，主要是通过晶体衍射测定分子电子云密度分布，进而推断出分子的结构。
第10题：
什么是单晶体．多晶体．晶粒和晶界？
正确答案: 只有一个晶粒组成的金属称为单晶体。由许多晶粒组成的金属称为多晶体。多晶体材料内以晶界分开的晶体学位向相同的晶体称为晶粒。将任何两个晶体学位向不同的晶粒隔开的那个内界面称为晶界。