理学

问答题水热与溶剂热合成方法的适用范围是什么?

题目
问答题
水热与溶剂热合成方法的适用范围是什么?
参考答案和解析
正确答案: (1)微孔材料
(2)制备超细(纳米)粉末
(3)制备薄膜
(4)低温生长单晶
(5)合成新材料、新结构和亚稳相
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

聚酰胺形成氢键的能力与溶剂有关,其强弱顺序是

A.有机溶剂>碱性溶剂>水
B.碱性溶剂>有机溶剂>水
C.碱性溶剂>水>有机溶剂
D.水>有机溶剂>碱性溶剂
E.水>碱性溶剂>有机溶剂

答案:D
解析:
在聚酰胺上的洗脱能力由弱至强为:水>有机溶剂>碱性溶剂。

第2题:

什么叫水热合成法?按反应温度可分为几类?水热合成法有哪些优点和应用前景?高温高压下水热合成法有哪些特征?说明用水热合成法合成水晶的必然性。


正确答案:水热合成法:水热法是指在密闭体系中,以水为溶剂,在一定的温度下,在水的自生压强下,反应混合物进行反应的一种方法。
按反应温度分类:1.低温水热法;2.中温水热;3.高温高压水热法
优点及前景:该法可制得许多其他方法不能或难以得到的化合物。众多的介稳相可通过水热反应加以合成。开发出更多更好的无机功能材料和各种新型无机化合物。
高温高压下水热合成特征:使复杂离子间的反应加速;使水解反应加剧;使其氧化还原反应电势发生明显变化。
用水热合成法合成水晶的必然性:从各种原料要想得到水晶,按一般的思路无非两种方法:一是从水溶液中生长水晶体。由于不溶于水,故此法行不通。二是从熔体中生长水晶体。熔体冷去后一般生成了非晶态固体---玻璃,故此法得不到水晶,所以只有用水热法了。

第3题:

通常增溶剂加入的正确方法是

A、把增溶剂先溶于水再加入药物

B、药物溶于水再加增溶剂

C、增溶剂与药物混匀以后加水稀释

D、增溶剂、药物、水同时混合

E、任意加入


参考答案:C

第4题:

干热灭菌法的适用范围是什么?


正确答案:粉剂、油剂、玻璃。

第5题:

热固型涂料成膜前后,物质分子结构不发生变化,仅靠溶剂(或水)挥发、温度变化等物理作用使涂料干燥成膜。


正确答案:错误

第6题:

什么是水成膜泡沫灭火剂?其适用范围有哪些?


正确答案:水成膜泡沫灭火剂是以碳氢表面活性剂和氟碳表面活性剂为基料的泡沫液,可在某些烃类表面上形成一层膜。该类泡沫灭火效果由于蛋白和氟蛋白泡沫,主要用于扑救一般非水溶性可燃液体火灾,它与干粉联用,灭火效果更好。还可以采用液下喷射的方法扑救油类火灾。不能用于扑救水溶性可燃液体及电气和具有遇湿易燃性的物质火灾。

第7题:

水作为提取溶剂的主要优缺点是什么?


正确答案: 水是强极性溶剂,适合提取极性大的化合物,如苷类、生物碱盐、多糖、有机酸盐类、蛋白质等,安全、价廉。但提取液黏度大,过滤浓缩困难,容易霉变。

第8题:

通常增溶剂加入的正确方法是

A.把增溶剂先溶于水再加入药物

B.药物溶于水再力口增溶剂

C.增溶剂与药物混匀以后加水稀释

D.增溶剂、药物、水同时混合

E.任意加入


正确答案:C

第9题:

酸性氧化电位水的适用范围是什么?


正确答案:酸性氧化电位水目前主要用于手、皮肤粘膜的消毒;也可用于餐饮具、瓜果蔬菜的消毒和物品表面的消毒以及内镜的冲洗消毒。

第10题:

简述纳米材料的制备方法基本原理。(蒸发-冷凝法、水热合成法、溶剂热合成法、溶胶-凝胶法、微乳液法、模板合成法、自组装法及其特点、VLS机制,VS机制等)


正确答案: 蒸发-冷凝法原理:在高真空的条件下,金属试样经蒸发后冷凝。
水热合成法原理:在特制的密闭反应容器里,采用水溶液作为反应介质,对反应容器加热,创造一个高温(100~350℃)、高压(1~500MPa)的反应环境,使通常难溶或不溶的物质溶解并重结晶。
溶胶-凝胶合成原理:将金属醇盐或无机盐经水解直接形成溶胶或经解凝形成溶胶,然后使溶胶聚合凝胶化,再将凝胶干燥、焙烧去除有机成分,最后得到无机材料。
微乳液法基本原理:两种互不相溶的溶剂在表面活性剂的作用下形成微乳液,在“微泡”中经成核、聚结、团聚、热处理后得到粉体。
模板合成法原理:利用基质材料结构中的空隙或外表面作为模板进行合成。结构基质为多孔玻璃、分子筛、大孔离子交换树脂等。
自组装法原理:基本结构单元在基于非共价键的相互作用下自发的组织或聚集为一稳定、具有一定规则几何外观的结构。
特点:
①有序性:结构比组成部分有序性高
②相互作用力弱:氢键、范德华力、静电作用等
③组成结构复杂:包含纳米及细观结构
VLS生长机制:必须有催化剂的存在;在适宜的温度下,催化剂能与生长材料的组元互熔形成液态的共熔物;生长材料的组元不断地从气相中获得;当液态中溶质组元达到过饱和后,晶须将沿着固-液界面的择优方向析出。特点:催化剂的尺寸决定纳米线材料的最终直径;反应时间影响纳米线的长径比。
VS生长机制:通过热蒸发、化学还原或气相反应等方法产生气相;气相被传输到低温区并沉积在基底上;以界面上微观缺陷(位错、孪晶等)为形核中心生长出一维材料。