理学
问答题解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
题目
问答题
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
参考答案和解析
正确答案：
重掺杂后杂质原子间出现轨道交叠，产生能级分裂，扩展为杂质能带，杂质能带中的电子可以在杂质原子间作共有化运动，杂质的电离能减小，杂质能带的带尾进入导带或价带，使电离能变为零，引起禁带变窄。
解析：
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相似问题和答案
第1题：
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
正确答案:离子；能量；退火处理
第2题：
肌肉收缩时肌小节的变化（）
- A、明、暗带均变窄
- B、明、暗带均不变
- C、明带不变，暗带变窄
- D、暗带不变，明带变窄
- E、暗带不变，明带变宽
正确答案:D
第3题：
N型半导体中杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中应处于（ ）。《》（ ）
A.满带中
B.导带中
C.禁带中，但接近满带顶
D.禁带中，但接近导带底
B.导带中
C.禁带中，但接近满带顶
D.禁带中，但接近导带底
答案：D
解析：
N型半导体也称为电子型半导体，自由电子主要由杂质原子提供，空穴由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能就越强。杂质原子所形成的局部能级（也称施主能级），在能带中处于禁带但接近导带底。
第4题：
半导体的压阻效应与掺杂度、温度、材料类型和半导体的晶向有关。
正确答案:正确
第5题：
在肌肉收缩时，明带和暗带的变化是（）
- A、明带变宽、暗带变窄
- B、明带变窄、暗带变宽
- C、明带变窄、暗带不变
- D、明带不变、暗带变窄
正确答案:C
第6题：
在高掺杂效应中，造成禁带收缩的主要原因是什么？
正确答案: 1﹑硅的能带边缘出现了一个能带尾态，于是禁带缩小到两个尾态边缘间的宽度。
2﹑随着杂质浓度的增加，杂质能级扩散为杂质能带，并且有可能和硅的能带相接，而使硅的能带延伸到杂质能带的边缘，禁带也就变小了。
3﹑高浓度的杂质使晶格发生宏观应变，从而造成禁带随空间变化而使禁带缩小。
第7题：
什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
正确答案:在常温下受热激励所产生的自由电子和空穴的数量很少，为提高半导体的导电能力，通常在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有N型有P型。N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称N型半导体。P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称P型半导体。
第8题：
肌肉收缩时肌小节的变化是( )
A.明、暗带均变窄
B.明、暗带均不变
C.明带不变、暗带变窄
D.暗带不变，明带变窄
E.暗带变宽
B.明、暗带均不变
C.明带不变、暗带变窄
D.暗带不变，明带变窄
E.暗带变宽
答案：D
解析：
第9题：
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
正确答案:错误
第10题：
下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）
- A、In掺杂的Ge
- B、As掺入Ge
- C、As掺入Si
- D、InSb中，Si占据Sb的位置
- E、GaN中，Mg占据Ga的位置
正确答案:B,C