理学
填空题半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。
题目
填空题
半导体晶体缺陷可以分为（）和微观缺陷，以及点阵应变和表面机械损伤。
参考答案和解析
正确答案：
宏观缺陷
解析：
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相似问题和答案
第1题：
精轧粗螺纹钢筋表面不得有横向裂纹、结疤、机械损伤和缺陷。
答案：错
解析：
第2题：
晶体缺陷会造成金属材料的强度和塑性降低。
正确答案:错误
第3题：
杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()
A、掺杂浓度
B、工艺
C、温度
D、晶体缺陷
参考答案：A
第4题：
说明晶体缺陷的概念和分类方法，简述各种晶体缺陷的概念、特征及其对性能的影响。
正确答案: 概念：晶体缺陷是指晶体中偏离理想的完整结构的区域。
分类方法：按形成晶体缺陷的原子种类，可将晶体缺陷分成化学缺陷和点阵（几何）缺陷两类。按点阵缺陷在三维空间的尺度，又可将点阵缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷三类。
1、点缺陷：是指在x、y、z方向上的尺寸都很小的点阵缺陷，包括空位和间隙原子。
特点：点缺陷是热力学平衡缺陷，即在平衡状态下也总以一定的浓度存在。
影响：
（1）空位浓度升高，导体的电阻升高。
（2）空位引起体积增加、密度减小。
（3）辐照损伤，即用电子、中字、质子、α粒子等高能粒子照射材料，在材料中导入大量空位和间隙原子，引起材料损伤。
2、线缺陷：线缺陷是指在两个方向上尺寸都很小，另一个方向相对很长的点缺陷，也叫一维缺陷，如位错。
特点：不论是何种位错，位错的滑移方向都是为错的法线方向。
影响：
（1）位错的密度降低，位错数量减少，材料的屈服强度将降低。
（2）由于位错附近自由能升高，位错消失可以导致自由能降低，因此位错附近可发生优先腐蚀。
（3）由于位错引起的局部点阵畸变也能引起传导电子的额外散射，也可能引起电阻升高。
（4）位错导致扩散加速。
3、面缺陷：面缺陷是指在两个方向上尺寸很大，另一方向上尺寸很小的点缺，也叫二维缺陷。
特点：不论是何种位错，位错的滑移方向都是位错的法线方向，滑移的结果都是在晶体表面形成宽度为b的台阶。
影响：
（1）堆垛层错使材料的自由能有些增加，但本身几乎不产生畸变，对材料的性能影响不大。
（2）外表面对材料性能的影响在于很难获得清洁的表面。
（3）相界面是新相的形核的优先位置，相界面常常是最优先腐蚀的位置。对普通材料而言，它会使材料的强度增加，原因是它增大了位错运动的阻力。
第5题：
晶体缺陷的存在可以提高金属的强度
正确答案:正确
第6题：
渗透检测法可以用来检测出那种情况下的缺陷（）。
- A、多孔型材料表面开口的缺陷和损伤
- B、材料内部的缺陷和损伤
- C、校准磅称
- D、材料表面开口的缺陷和损伤的深度
正确答案:C
第7题：
按（）材料不同，电阻应变片可分为（）和半导体应变片两大类。前者的敏感栅有（）、（）和（）三种类型。
正确答案:敏感栅；金属；丝式；箔式；薄膜式
第8题：
检测变压器噪声的目的在于可以反应变压器( ).
高温缺陷;可以引起振动的机械损伤缺陷;伴随局部放电的绝缘缺陷;整体受潮缺陷
答案：B,C
解析：
第9题：
金属的晶体缺陷主要有点缺陷、线缺陷和（）
正确答案:面缺陷
第10题：
实际金属中存在着的晶体缺陷有（）缺陷、（）缺陷和（）缺陷。
正确答案:点；线；面