综合笔试

单选题关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（　　）A 结构基础与突触前抑制不同B 到达突触前末梢的动作电位频率高C 有多个兴奋同时到达突触前末梢D 进人突触前末梢内Ca2+增多E 突触后膜有多个EPSP发生总和

题目
单选题
关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？（　　）
A

结构基础与突触前抑制不同

B

到达突触前末梢的动作电位频率高

C

有多个兴奋同时到达突触前末梢

D

进人突触前末梢内Ca2+增多

E

突触后膜有多个EPSP发生总和

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第1题：

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的

A．突触前末梢去极化

B．Ca2+由膜内进入突触前膜内

C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合

D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动


正确答案：E
解析：IPSP产生过程是：突触前末梢去极化，Ca2+由膜内进入突触前膜内，引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合，使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高，突触后膜出现超极化的电位变化，突触后神经元表现抑制。

第2题：

下述关于兴奋突触传递过程的论述，哪一项是错误的？

A. 突触前膜去极化
B. Ca2+进入突触前膜
C. 突触前膜释放兴奋性递质
D. 突触后膜对Na+通透性增强
E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位

答案：E
解析：

第3题：

关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的

A、持续时间长

B、突触前膜去极化

C、潜伏期较长

D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现

E、轴突末梢释放抑制性递质


参考答案：E

第4题：

关于突触前易化的产生，下列哪一描述是正确的？


A.结构基础与突触前抑制完全不同
B.到达突触前末梢的动作电位频率高
C.有多个兴奋同时到达突触前末梢
D.进入突触前末梢内的增多

答案：D
解析：

第5题：

关于突触传递可塑性的说法中错误的是

A.突触易化主要涉及的离子是Ca2+
B.突触强化主要是由于前膜内Na蓄积
C.长时程强化指该突触活动增强
D.突触强化与Ca浓度增高有关
E.突触易化与Na蓄积有关

答案：E
解析：
突触易化是前面刺激造成的Ca内流未恢复至静息时的平衡状态，后面刺激来时，胞内Ca浓度基数比前次高。

第6题：

关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的

A.突触前末梢去极化
B.Ca由膜外进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

答案：E
解析：
抑制性突触后电位是一种在突触后膜处产生的超极化局部电位，对神经元膜去极化达到阈电位有阻碍作用，使该神经元不容易产生动作电位。

第7题：

下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？

A. 突触前膜超极化
B. Ca2+经突触前膜进入突触小体
C. 突触前膜释放抑制性递质
D. 突触后膜对Cl-通透性增强
E. Cl-内流产生IPSP

答案：A
解析：

第8题：

下列关于突触前抑制的叙述，错误的是

A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

D、潜伏期短，持续时间短

E、可调节控制感觉信息的传入活动


参考答案：BD

第9题：

下列关于突触前抑制特点的描述，正确的是

A.以树突-树突式突触为结构基础
B.多见于运动传出通路中
C.潜伏期和持续时间均较长
D.因突触前膜发生超极化而产生

答案：C
解析：

第10题：

下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是( )。

A.
B.突触前末梢去极化
C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D.
E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动

答案：E
解析：

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