自然科学知识竞赛

多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

题目
多选题
下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()
A

引起突触前膜部分的预先去极化

B

引起突触前膜动作电位幅度减小

C

引起突触前膜释放递质减少

D

引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小

E

引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

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第1题:

下列关于突触前抑制的叙述,错误的是

A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少

B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质

C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触

D、潜伏期短,持续时间短

E、可调节控制感觉信息的传入活动


参考答案:BD

第2题:

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

A、是局部去极化电位

B、具有"全或无"性质

C、是局部超极化电位

D、由突触前膜递质释放量减少所致

E、是局部去极化电位


参考答案:C

第3题:

突触前抑制的论述中,正确的是()

A、突触前膜超极化

B、突触后膜超极化

C、突触前膜去极化

D、突触前膜释放抑制性递质

E、潜伏期较短


参考答案:C

第4题:

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是A.是局部去极化电位B.具有"全或无"性质SXB

下列关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是

A.是局部去极化电位

B.具有"全或无"性质

C.是局部超极化电位

D.由突触前膜递质释放量减少所致

E.由突触后膜对钠通透性增加所致


正确答案:C

第5题:

下列突触前抑制的描述,哪个是不正确的

A.突触前膜释放递质量减少

B.一定有轴—轴突触存在

C.突触前膜释放抑制性递质

D.多见于感觉传入途径中


正确答案:C

第6题:

关于突触前抑制的叙述,正确的是( )。

A、突触前膜超极化

B、突触后膜超极化

C、突触前膜去极化

D、突触前膜释放抑制性递质

E、潜伏期较短


参考答案:C

第7题:

关于突触前抑制的叙述,正确的是

A、突触前膜超级化

B、突触后膜超级化

C、突触前膜去极化

D、突触后膜去极化

E、没有神经递质参与


参考答案:C

第8题:

对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是()

A、前者发生于突触后膜,后者发生于突触前膜

B、前者中间神经元是抑制性的,后者中间神经元为兴奋性的

C、前者为超极化抑制,后者为去极化抑制

D、两者抑制都与IPSP有关

E、两者最终均使突触后神经元抑制


参考答案:D

第9题:

关于突触前抑制的叙述,正确的是

A.突触前膜超极化

B.突触后膜超极化

C.突触前膜去极化

D.突触后膜去极化

E.没有神经递质参与


正确答案:C

第10题:

下列有关中枢抑制的叙述,错误的是:

A.中枢抑制的产生不需外来的刺激
B.抑制也可以扩散和集中
C.抑制可分为突触后抑制和突触前抑制
D.抑制也可以总和

答案:A
解析:

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