扩散型
合金型
键型
点接触型
第1题:
第2题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第3题:
第4题:
二极管2CP的意义是()。
第5题:
2CW10表示()
第6题:
第7题:
一只二极管的型号为2CW21D,其中C的含义是()。
第8题:
第9题:
由一根或一根以上缝线,采用自连、直连或交织在缝料上或通过缝料而形成的一个单元,称为()。
第10题:
二极管按材料分锗二极管和硅二极管。
在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()
2AP9表示()A、N型锗材料稳压二极管;B、P型锗材料整流二极管;C、N型锗材料普通二极管;D、P型硅材料变容二极管
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
单选题晶体二极管2AP9的材料和极性是()A P型,锗材料B N型,锗材料C N型,硅材料D P型,硅材料
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。
单选题有一个二极管的标号为:2CP18,其中“C”表示()。A P型锗材料B N型锗材料C P型硅材料D N型硅材料
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A 0.4VB 0.5VC 0.6VD 0.7V
在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。