突触间隙≤20nm
前后膜对称性增厚
突触小泡为S型
突触前栅为细孔10~20nm
突触小泡为F型
第1题:
属于兴奋性突触的描述的是
A、突触间隙≤20nm
B、前后膜对称性增厚
C、突触小泡为S型
D、突触前栅细孔10~20nm
E、突触小泡为F型
第2题:
突触后抑制时,下列不会出现的是()。
第3题:
属于兴奋性突触描述的是
A、突触间隙≤20nm
B、前后膜对称性增厚
C、突触小泡为S型
D、突触前栅为细孔10~20nm
E、突触小泡为F型
第4题:
关于突触前抑制的正确描述是()
第5题:
突触前抑制的特征是突触后膜兴奋性升高。
第6题:
A.中间兴奋性神经元兴奋
B.突触后膜超极化
C.突触前膜去极化
D.突触前膜释放兴奋性递质
E.突触前膜内递质耗竭
第7题:
突触前抑制的特点是()。
第8题:
第9题:
关于兴奋性实触后电位产生过程的描述中哪一项是错误的?()
第10题:
突触前抑制的特征是突触后膜()