贵金属基底冠的粗化
半贵金属基底冠的粗化
非贵金属基底冠的粗化
去除铸件表面的包埋料
去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜
第1题:
贵金属烤瓷金属基底冠桥,用何种氧化铝砂作喷砂处理
A、15~25μm
B、25~35μm
C、35~50μm
D、50~100μm
E、100~120μm
第2题:
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度,因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物
B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物
C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合.部要求的外形
D、禁止使用橡皮轮磨光
E、用50~100μm的氧化铝喷砂
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0.2~2μm
第3题:
病人张某,女性,天然牙列为四环素牙,要求4321|1234做烤瓷美容修复。理想的氧化膜的厚度是A、0.2~2μm
B、3~4μm
C、5~6μm
D、7~8μm
E、9~10μm
4321|1234从修复效果考虑,烤瓷合金选用哪种最佳A、贵金属
B、半贵金属
C、非贵金属
D、钯银合金
E、银合金
粗化此种金属基底冠的表面的氧化铝粒度为A、20~30μm
B、35~50μm
C、55~70μm
D、75~90μm
E、95~110μm
打磨此种基底冠时,应采用哪种磨头A、氧化铝车针
B、氧化硅车针
C、碳化硅车针
D、金刚砂车针
E、钨钢车针
第4题:
金属基底冠除气目的,下列说法正确的是()
第5题:
50~100p;micro;m的氧化铝主要用于( )。
A、贵金属基底冠的粗化
B、半贵金属基底冠的粗化
C、非贵金属基底冠的粗化
D、去除铸件表面的包埋料
E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜
第6题:
打磨后贵金属基底冠的表面喷砂粗化应选用的氧化铝直径是
A.80~100μm
B.35~50μm
C.0.2~2μm
D.50~100μm
E.0.5~3μm
第7题:
金属基底冠铸造后的处理步骤正确的有
A.去除铸件表面的包埋料
B.表面机械处理、抛光
C.清洁处理
D.表面酸蚀处理
E.除气、预氧化
第8题:
50~100μm的氧化铝主要用于
A、贵金属基底冠的粗化
B、半贵金属基底冠的粗化
C、非贵金属基底冠的粗化
D、去除铸件表面的包埋料
E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜
第9题:
技师制作贵金属烤瓷全冠,其金属基底冠打磨完成喷砂粗化时应选用
A.50~100μm氧化铝砂
B.35~50μm氧化铝砂
C.50~100μm石英砂
D.35~50μm石英砂
E.150~200μm氧化铝砂
第10题:
20~30μm
35~50μm
55~70μm
75~90μm
95~110μm