剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区
表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区
表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区
表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
第1题:
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变,其变化特点是()
第2题:
高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区,治疗肿瘤时应使靶区位于()
第3题:
高能电子束的PDD曲线可大致分为
A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区
B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区
C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区
D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区
第4题:
关于高能电子束的百分深度剂量,描述错误的是()
第5题:
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是()
第6题:
不属于高能电子束百分深度剂量的是()
第7题:
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是()。
第8题:
对高能电子束剂量分布特点的描叙,哪项不正确()。
A、表面剂量随能量的增加而增加
B、从表面到dmax为剂量建成区,区宽随射线能量增加而增加
C、从dmax得到d80(d85)为治疗区,剂量梯度变化较小
D、D80(d85)以后,为剂量跌落区,随射线能量增加剂量梯
E、度变徒随电子束能量增加,皮肤剂量和尾部剂量增加
第9题:
关于能量对电子束百分深度剂量的影响,哪项描述正确()?
第10题:
当高能电子束能量增大时,其PDD曲线随能量变化的关系是()