“IGBT”
“BJT”
“GTO”
“MOSFET”
第1题:
A.绝缘栅场效应管
B.结型场效应管
C.绝缘栅双极晶体管
D.双极型功率晶体管
第2题:
绝缘栅双极型晶体管简称( )。
A.MOSFET
B.IGBT
C.GTR
D.GTO
第3题:
A.GTO
B.MOSFET
C.PIC
D.IGBT
第4题:
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以场效应晶体管作为基极,以()作为发射与集电极复合而成。
第5题:
绝缘栅双极型晶体管简称()。
第6题:
绝缘栅双极型晶体管的简称是()。
A、PowerMOSFET
B、GTR
C、GTO
D、IGBT
第7题:
绝缘栅双极型晶体管内部为()层结构。
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
绝缘栅双极型晶体管(IGTR)是以()作为基极,以()作为发射极与集电极复合而成。
第10题:
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极(),以()复合而成。