计算机三级

半导体存储器DRAM与SRAM不同的是需要 ______ 。

题目

半导体存储器DRAM与SRAM不同的是需要 ______ 。

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相似问题和答案

第1题:

下列关于半导体存储器的说法错误的是:

A.SRAM不需要周期性刷新

B.DRAM不需要周期性刷新

C.SRAM功率消耗比DRAM低

D.DRAM是对存储器电容进行读写


半导体应变片的优点是电阻值和灵敏系数的温度稳定性很好

第2题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D

第3题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入,这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

第4题:

下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.SRAM比DRAM存储密度高

Ⅱ.相同存储容量的SRAM比DRAM成本高

Ⅲ.SRAM比DRAM速度快

Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中错误的叙述是______。

A) Ⅰ和Ⅱ

B) Ⅱ和Ⅲ

C) Ⅲ和Ⅳ

D) Ⅰ和Ⅳ

A.

B.

C.

D.


正确答案:D

第5题:

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ.SRAM比DRAM成本高

Ⅲ.SRAM比DRAM速度快

Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是( )。

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:B

第6题:

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D

第7题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单②SRAM比DRAM成本高③SRAM比DRAM速度快④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新;其中正确的是()。

A、①和②

B、②和③

C、③和④

D、①和④


参考答案:B

第8题:

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ.SRAM比DRAM成本高

Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:B
解析:SRAM的工作速度快(如2ns):不需要刷新电路,因此使用简单:在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出);但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息,而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息),功能较大,制造成本高,价格贵。选项B正确。

第9题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要 定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入, 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。