软考中级

动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,其特点是(4)。A.容量大B.速度快C.需要定期刷新D.价格低

题目

动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,其特点是(4)。

A.容量大

B.速度快

C.需要定期刷新

D.价格低

参考答案和解析
正确答案:C
解析:动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,其特点是速度慢、容量大、价格低、需要定期刷新。一般用动态存储器件(DRAM)制作RAM,用静态存储器件(DRAM)制作cache。
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相似问题和答案

第1题:

关于静态存储器SRAM描述不正确的是___________。

A.SRAM存储器需要刷新操作。

B.SRAM的一个存储单元是由六个晶体管构成。

C.与动态存储器相比,静态存储器的成本较高。

D.静态存储器的速度要比动态存储器速度快。


采用双稳态的触发电路存储0、1信息;每个存储元元件数目多,集成度低,功耗大;静态存储器不需要刷新电路,速度快,价格贵;静态存储器SRAM一般用于小容量的高速缓冲存储器使用

第2题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:①SRAM比DRAM存储电路简单。②SRAM比DRAM成本高。③SRAM比DRAM速度快。④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新。其中哪两个叙述是错误的?

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入,这个过程称为 DRAM的刷新.SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

第3题:

动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,其特点是(18)。

A.容量大

B.速度快

C.需要定期刷新

D.价格低


正确答案:C
解析:动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,其特点是速度慢、容量大、价格低、需要定期刷新。一般用动态存储器件(DRAM)制作RAM,用静态存储器件(DRAM)制作cache。

第4题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中( )叙述是错误的。

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D

第5题:

在存储器系列中,需要定时刷新的器件有哪些()。

A、EPROM

B、DRAM;

C、SRAM;

D、SAM


参考答案:BD

第6题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,

①SRAM比DRAM存储电路简单

②SRAM比DRAM成本高

③SRAM比DRAM速度快

④SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔将数据读出并写入,这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

第7题:

下面是DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.SRAM比DRAM存储密度高

Ⅱ.相同存储容量的SRAM比DRAM成本高

Ⅲ.SRAM比DRAM速度快

Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中错误的叙述是______。

A) Ⅰ和Ⅱ

B) Ⅱ和Ⅲ

C) Ⅲ和Ⅳ

D) Ⅰ和Ⅳ

A.

B.

C.

D.


正确答案:D

第8题:

动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,不属于其特点是(23)。

A.价格低

B.速度快

C.容量大

D.需要定期刷新


正确答案:B
解析:动态存储器件(DRAM)与静态存储器件(SRAM)相比,其特点是速度慢、容量大、价格低、需要定期刷新。一般用动态存储器件(DRAM)制作RAM,用静态存储器件(SRAM)制作cache。

第9题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要 定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入, 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。