给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9
-14b),问你有什么办法提高*** time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温
度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)
第1题:
给出一个简单电路,让你分析输出电压的特性(就是个积分电路),并求输出端某点的 rise/fall时间。(Infineon笔试试题)
第2题:
给出一个简单的由多个NOT,NAND,NOR组成的原理图,根据输入波形画出各点波形。(Infineon笔试)
第3题:
A、饱和温度提高,体积缩小
B、饱和温度提高,体积增大
C、饱和温度降低,体积缩小
D、饱和温度降低,体积增大
第4题:
设想你将设计完成一个电子电路方案。请简述用EDA软件(如PROTEL)进行设计(包括
原理图和PCB图)到调试出样机的整个过程。在各环节应注意哪些问题?电源的稳定,电
容的选取,以及布局的大小。(汉王笔试)
共同的注意点
第5题:
画出CMOS晶体管的CROSS-OVER图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转移特性。(Infineon笔试试题)
第6题:
画出NOT,NAND,NOR的符号,真值表,还有transistor level的电路。(Infineon笔试
第7题:
给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 -14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题,记不起来了。(降低温度,增大电容存储容量)(Infineon笔试)
第8题:
第9题:
sketch 连续正弦信号和连续矩形波(都有图)的傅立叶变换 。(Infineon笔试试题)
第10题:
下图给出了两种LED数码管的内部结构原理图,其中图(a)为共___【23】____极LED数码管,图(b)为共___【24】____极LED数码管。