化学工程

晶体CH3D中的残余熵S（0，m）为：（）A、Rln2B、（1/2）Rln2C、（1/3）Rln2D、Rln4

题目

晶体CH3D中的残余熵S（0，m）为：（）

  • A、Rln2
  • B、（1/2）Rln2
  • C、（1/3）Rln2
  • D、Rln4
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第1题：

一定量的气体做绝热自由膨胀，设其内能增量为△E，熵增量为△S，则有（）。


A△E＜0，△S=0
B△E＜0，△S＞0
C△E=0，△S＞0
D△E=0，△S=0

答案：C
解析：
绝热自由膨胀过程，△E=0，不可逆，熵增加。

第2题：

用熵变△S>0能自动进行，△S=0平衡作为判据的条件是（）


正确答案:隔离系统的总熵变

第3题：

热力学温度为0K时,任何纯净物质的完美晶体,熵值都是零。()

此题为判断题(对，错)。


正确答案:正确

第4题：

在N个NO分子组成的晶体中，每个分子都有两种可能的排列方式，即NO和ON， 也可将晶体视为NO和ON的混合物，在绝对零度时该系统的熵值为（）

  • A、S0=0
  • B、S0=kln2
  • C、S0=Nkln2
  • D、S0=2klnN
  • E、S0=Nkln2N

正确答案:C

第5题：

关于熵，下列叙述中正确的是（）

  • A、0K时，纯物质的标准熵S=0；
  • B、单质的S=0，单质的△H △G均等于零；
  • C、在一个反应中，随着生成物的增加，熵增大；
  • D、△S>0的反应总是自发进行的.

正确答案:A

第6题：

一定量的气体做绝热自由膨胀，设其内能增量为△E，熵增量为△S，则有（ ）。

A.△E＜0，△S=0
B.△E＜0，△S＞0
C.△E=0，△S＞0
D.△E=0，△S=0

答案：C
解析：
绝热自由膨胀过程，△E=0，不可逆，熵增加。

第7题：

设任一体系进行不可逆循环，由于是循环过程，所以体系的熵变ΔS（体）=0，环境的熵变ΔS（环境）=0。对否？说明理由。


正确答案:已知体系进行不可逆循环，所以总熵变ΔS（总）应大于零，即ΔS（总）=ΔS（体）+ΔS（环境）﹥0。对于体系，由于循环回到始态，所以ΔS（体）=0，则环境的熵变ΔS（环境）﹥0。

第8题：

对一维渐变渗流，完全潜水井的含水层厚度H为8m，井的半径r0为0. 2m，抽水对井的涌水量Q为0. 03m3/s，井中水深h为5m，若取影响半径R=400m，计算渗流系数k为：
A. 0. 0025m/s B. 0. 0018m/s
C. 0. 018m/s D. 0. 025m/s


答案：B
解析：
提示：由完全潜水井流量公式，反求k。

第9题：

CO是个直线型分子，在晶体中它有两种取向，即CO和OC。在0K时，由于动力学上的障碍，它们仍然是以这两种取向随机地保存在晶体中，则它在0K时的残余熵=（）J·K-1·mol-1。


正确答案:5.76

第10题：

在298.15K室时，对于CH3D气体的熵值，应有（）

  • A、量热熵＞＞统计熵；
  • B、量热熵＞统计熵；
  • C、量热熵＜＜统计熵；
  • D、量热熵＜统计熵；
  • E、量热熵≌统计熵.

正确答案:D

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