动力与电气工程
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相似问题和答案
第1题：
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR&"160;
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTO
参考答案：B
第2题：
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFET
B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET驱动的GT0
参考答案：B
第3题：
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。
A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT
B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE
D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
正确答案:C
第4题：
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
正确答案:最大容量递增顺序为Power MOSFET、IGBT、SCR；开关频率递增顺序为SCR、IGBT、Power MOSFET；SCR为电流型驱动；而Power MOSFET和IGBT为电压型驱动。
第5题：
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
第6题：
试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
参考答案：GTR的容量中等，工作频率一般在10kHz以下，电流控制型器件，所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小，工作频率最高，可达100kHz以上，电压控制型器件，所需驱动功率最小，但其通态压降大，开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级，但为电压控制型器件，驱动功率小，工作频率高，有取代GTR之势。
第7题：
功率开关器件可以说是开关电源的心脏，下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的（）。
- A、MOSFET功率场效应管
- B、IGBT绝缘栅双极晶体管
- C、GTR晶闸管
- D、BJT双极型晶体管
正确答案:C
第8题：
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。
A、GTM
B、GTN
C、GTO
D、GTR
参考答案：C
第9题：
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。
第10题：
GTR、P-MOSFET、IGBT使用中，电流定额选择中各要注意什么？
正确答案:GTR有二次击穿现象以及其安全工作区受各项参数影响而变化和热容量小、过流能力低等问题。功率MOSFFT是一种电压驱动器件，基本上不要求稳定的驱动电流，驱动电路只需要在器件开通时提供容性充电电流，而关断时提供放电电流即可，因此驱动电路很简单。IGBT是P-MOSFET工艺技术基础上的产物，它兼有MOSFET高输入阻抗、高速特性和GTR大电流密度特性的混合器件。它具有宽而稳定的安全工作区，较高的效率，驱动电路简单等优点。