工学
问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
题目
问答题
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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相似问题和答案
第1题：
电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。
A、越小
B、不变
C、越大
D、不定
正确答案:C
第2题：
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR&"160;
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTO
参考答案：B
第3题：
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。
A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT
B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE
D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
正确答案:C
第4题：
功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。
正确答案:MOSFET；IGBT；并联
第5题：
GBT与场管的区别，正确的有（）
- A、场管比IGBT频率高
- B、IGBT比场管导通压降低
- C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
- D、IGBT的开关损耗比场管大
- E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
正确答案:A,B,C,D,E
第6题：
IGBT有哪些缺点?( )
A、开关速度不及电力MOSFET
B、开关速度比电力MOSFET快
C、电压、电流容量不及GTO
D、电压、电流容量比GTO大
正确答案:A,C
第7题：
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFET
B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET驱动的GT0
参考答案：B
第8题：
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。
A、GTM
B、GTN
C、GTO
D、GTR
参考答案：C
第9题：
IGBT与场管的区别，正确的有（）
- A、场管比IGBT频率高
- B、IGBT比场管导通压降低
- C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
- D、IGBT的开关损耗比场管大
- E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
正确答案:A,B,C,D,E
第10题：
UPS常用的电力电子器件有：（）
- A、GTR；
- B、MOSFET；
- C、IGBT；
- D、SCR
正确答案:B,C,D