霍尔效应的原理是：当电流I通过在磁场中的半导体基片（即霍尔元件），且电流方向与磁场方向垂直时，在垂直于电流与磁通的半导体基片的横向侧面，即产生下一个与电流和磁感应强度成正比的（）。A、电流B、电压C、电感D、电场

第1题：

利用霍尔效应制作的霍尔元件．广泛应用于测量和自动控制等领域。下图是霍尔原理工作图，磁感应强度为B，磁场方向垂直于霍尔元件的工作面向里，通入图示方向的电流为I，a、b两侧面会形成电势差。下列正确的是（　　）。

A．若霍尔元件的载流子是正电荷，a侧电势高于b侧
B．若霍尔元件的载流子是负电荷，a侧电势高于b侧
C．无论霍尔元件的载流子是正、负电荷。a侧电势均高于b侧
D．霍尔元件给定后，霍尔电压反比于磁感应强度B和通人的电流，的大小

答案：A

解析：

如果霍尔元件的载流子是负电荷，它沿着与电流I相反的x轴负向运动，根据左手定则，

第2题：

霍尔效应的原因是（）

• A、电流在磁场中受到洛仑兹力
• B、霍尔元件在磁场中感生出电动势
• C、霍尔元件在磁场中受到哥氏力
• D、霍尔元件在磁场中受到重力

第3题：

第4题：

置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势，称之为（）

• A、压电效应
• B、磁阻效应
• C、霍尔效应
• D、光电效应

第5题：

霍尔元件是根据霍尔效应原理制成的磁电转换元件，常用（）及锑化铟等半导体材料制成。

• A、锗
• B、硅
• C、砷化镓
• D、砷化铟

第6题：

霍尔式晶体管点火系，其点火信号发生器是采用（）的原理制成的。

• A、霍尔电器
• B、霍尔元件
• C、霍尔电压
• D、霍尔效应

第7题：

霍尔元件所产生的霍尔电势EW取决于（）.

• A、霍尔元件的材质
• B、元件的尺寸
• C、控制电流i
• D、元件所在磁场的磁感应强度
• E、电流i与磁场方向的夹角

第8题：

第9题：

TQG3A型电压传感器利用霍尔效应，采用磁补偿原理，通过霍尔元件实现对直流、交流及脉动电流的电隔离测量，输出信号反比于被测电流。

第10题：

用霍尔法测磁感应强度时，霍尔片上除了不等势电压外，还存在由热电效应和热磁效应引起的各种副效应，这些副效应大多通过（）方法，即改变（）和（）的方向加以消除。如果电流沿X轴方向，磁场沿Z轴方向，由在Y轴方向测得的霍尔电压可推知霍尔电场沿Y轴正向，则此霍尔元件是由（）（填N型或P型）半导体材料制造的。