锗二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
第1题:
A、立即导通
B、到0.3V才开始导通
C.、超过死区电压时才开始导通
第2题:
第3题:
此题为判断题(对,错)。
第4题:
硅二极管两端加上正向电压时()。
第5题:
二极管导通状态描述错误的是()
第6题:
第7题:
第8题:
A、0.1
B、0.3
C、0.5
D、0.7
第9题:
二极管处于导通状态时,二极管的压降()。
第10题:
导通后二极管两端电压变化很小,锗管约为()。
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
二极管两端加上正向电压时()A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
硅材料二极管的死区电压为0.3V。
在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时,硅二极管()。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
二极管真正导通后,锗管的电压约为()V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。