第1题:
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
第2题:
此题为判断题(对,错)。
第3题:
A、一个
B、两个
C、三个
D、四个
第4题:
晶体管包含三个区:集电区,()和发射区。
第5题:
A.基区薄而其杂质浓度低
B.基区杂质浓度高
C.降低发射区杂质浓度
D.加强电子在基区的复合
第6题:
第7题:
A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
此题为判断题(对,错)。
第10题:
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。