晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。
第1题:
关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
第2题:
此题为判断题(对,错)。
第3题:
A、一个
B、两个
C、三个
D、四个
第4题:
体管分为三层分别为:发射区、基区和()。
第5题:
A.两个背靠背的PN结
B.自由电子与空穴都参与导电
C.有三个掺杂浓度不同的区域
D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
第6题:
第7题:
此题为判断题(对,错)。
第8题:
此题为判断题(对,错)。
第9题:
此题为判断题(对,错)。
第10题:
晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料(N型或P型)构成的,所发射极和集电极可以互换。