电子与通信技术

为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄？

题目

为什么三极管的基区掺杂浓度小而且做得很薄？

参考答案和解析
正确答案:由于基区和发射区载流子是不同类型的，因此发射区的多数载流在正向电压的作用下扩散到基区后，要与基区的多数载流子复合。为使较多的载流子到达集电区，发射区扩散到基区的载流子应尽快通过基区，因而基区要做得薄一些。另外，基区的多数载流子浓度要较小，即掺杂浓度要小。
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第1题：

关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A、基区很薄且掺杂浓度很低

B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D、集电区面积大于发射区面积


正确答案:C

第2题：

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()


正确答案:对

第3题：

三极管的基区很厚,且掺杂比较高。()

此题为判断题(对，错)。


参考答案：错误

第4题：

关于三极管,不正确的描述是()

A.基区薄且低掺杂

B.发射区高掺杂

C.发射结面积大

D.集电结面积大


答案：B

第5题：

晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。()

此题为判断题(对，错)。


参考答案：对

第6题：

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()


正确答案:对

第7题：

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏

D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏


参考答案：A

第8题：

三极管哪个区的掺杂浓度最高()

A、基区

B、发射区

C、集电区

D、不确定


参考答案：B

第9题：

晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大


参考答案：D

第10题：

在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

  • A、基区
  • B、集电区
  • C、发射区
  • D、饱和区

正确答案:C

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