电子与通信技术

P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零

题目

P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为（）。

  • A、正值
  • B、负值
  • C、零
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第1题：

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对，错)。


参考答案：正确

第2题：

功率场效应晶体管一般为()。

A.P沟道耗尽型

B.P沟道增强型

C.N沟道耗尽型

D.N沟道增强型


正确答案：D

第3题：

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型


参考答案：A

第4题：

结型场效应管可分为（）。

  • A、MOS管和MNS管
  • B、N沟道和P沟道
  • C、增强型和耗尽型
  • D、NPN型和PNP型

正确答案:B

第5题：

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管


参考答案：AB

第6题：

设程序中有如下数组定义和过程调用语句： Dim a(10)As Integer … Call D(a) 如下过程定义巾，正确的是（ ）。

A.Private Sub p(a As Integer)

B.Private Sub p(a（ ）As Integer)

C.Private Sub p(a(10)As Integer)

D.Private Sub p(a(n)As Integer)


正确答案：B
B。【解析】本题考查的是过程的调用，根据题干在定义中不许定义一个a数组，其中a数组不能定长，所以答案为B。

第7题：

功率场效应晶体管一般为()。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、P沟道增强型


正确答案:B

第8题：

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )

A、耗尽型

B、增强型

C、P沟道

D、N沟道


参考答案：CD

第9题：

设程序中有如下数组定义和过程调用语句：

Dim a(10) as integer

……

Call p(a)

如下过程定义中，正确的是

A)Private Sub p(a as integer)

B)Private Sub p(a() as integer)

C)Private Sub p(a(10) as integer)

D)Private Sub p(a(n) as integer)


正确答案：B
【答案】：B
【知识点】：以数组作为参数时形式参数的定义形式
【解析】：形式参数为数组时，表达示为sub name( array() as integer[string......])，并不需要指明元素个数，但小括号不能省略。故本题选B。

第10题：

CMOS类型的集成电路的C它代表（）型的场效应三极管。

  • A、互补
  • B、耗尽
  • C、P沟道
  • D、N沟道

正确答案:A

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