材料科学
在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。A、增加缺陷浓度B、使晶格发生畸变C、降低缺陷浓度D、A和B
题目
在晶体中存在杂质时对扩散有重要的影响，主要是通过（），使得扩散系数增大。
- A、增加缺陷浓度
- B、使晶格发生畸变
- C、降低缺陷浓度
- D、A和B
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相似问题和答案
第1题：
在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质，在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源，不再有新的杂质补充，这种扩散方式称为：（）
正确答案:恒定表面源扩散
第2题：
在空位扩散中，如果迁移的空位的原子是杂质原子，扩散称为（）。
- A、填隙扩散
- B、杂质扩散
- C、推挤扩散
- D、自扩散
正确答案:B
第3题：
残余电流产生的原因有____
A. 溶液中存在微量易在电极上还原的杂质
B. 溶液中存在大量易在电极上还原的杂质
C. 不存在电容电流(充电电流)
D. 扩散电流的存在
答案：A
第4题：
在晶体扩散模型中，（）和（）是最重要的两种扩散机制。
正确答案:间隙机制；空位机制
第5题：
扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散，改变了晶片（），所以晶片才能被人们所使用。
- A、内部的杂质分布
- B、表面的杂质分布
- C、整个晶体的杂质分布
- D、内部的导电类型
- E、表面的导电类型
正确答案:A,E
第6题：
在空位扩散中，如果迁移到空位的原子是基质原子，扩散属于（）。
- A、推挤扩散
- B、杂质扩散
- C、填隙扩散
- D、自扩散
正确答案:D
第7题：
He，OH，Na等元素在900℃下，在二氧化硅中的扩散率大于10－13cm2/s，这些元素称为（）。
- A、活跃杂质
- B、快速扩散杂质
- C、有害杂质
- D、扩散杂质
正确答案:B
第8题：
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但主要可分为（）扩散和（）扩散两种。
正确答案:替位；间隙
第9题：
扩散硅式压力变送器的工作主要是基于（）。
- A、硅晶体的压阻效应
- B、硅晶体的扩散效应
- C、硅晶体的应变效应
- D、硅晶体的半导体特性
正确答案:A
第10题：
在相同的温度下，碳在α-Fe中的扩散比在γ-Fe中的扩散更容易，速度更快。这主要是因为：（）
- A、碳原子在α-Fe中固溶造成的晶格畸变更大；
- B、其他合金元素的影响所致；
- C、温度对扩散系数的影响所致。
正确答案:A