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判断题扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。A 对B 错
题目
判断题
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
A
对
B
错
参考答案和解析
正确答案：
错
解析：
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相似问题和答案
第1题：
在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。
A、温度
B、杂质浓度
C、原本征半导体的纯度
参考答案：B
第2题：
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。()
此题为判断题(对，错)。
答案：错
第3题：
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。
A、杂质浓度
B、温度
C、输入
D、电压
参考答案：A
第4题：
第二类回火脆性产生的原因是（）的缘故。
- A、晶粒边界杂质浓度增高
- B、晶粒边界杂质浓度降低
- C、晶粒内部杂质浓度增高
- D、晶粒内部杂质浓度降低
正确答案:A
第5题：
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
- A、温度
- B、掺杂工艺
- C、杂质浓度
- D、晶体缺陷
正确答案:A
第6题：
晶体管具备电流放大的内部条件是()。
A.基区薄而其杂质浓度低
B.基区杂质浓度高
C.降低发射区杂质浓度
D.加强电子在基区的复合
参考答案：A
第7题：
当P—N结承受反向电压时，其内部电流关系为（）
A.扩散电流大于漂移电流
B.扩散电流等于漂移电流
C.扩散电流小于漂移电流
D.无法确定
B.扩散电流等于漂移电流
C.扩散电流小于漂移电流
D.无法确定
答案：C
解析：
第8题：
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
正确答案:错
第9题：
半导体二极管加正向电压时，有（）特性。
- A、电流大电阻小
- B、电流大电阻大
- C、电流小电阻小
- D、电流小电阻大
正确答案:A
第10题：
半导体二极管加正向电压时，（）
- A、电流大，电阻小
- B、电流大，电阻大
- C、电流小，电阻小
- D、电流小，电阻大
正确答案:A