物理学
真空中有一组带电导体，某一导体表面电荷面密度为处，其表面附近的电场强度大小E=Q/W，这电场强度E是由（）。A、所有导体表面上的电荷产生的B、场点附近的面电荷产生的C、该导体上全部电荷产生的D、该处无穷小面积元上的电荷产生的
题目
真空中有一组带电导体，某一导体表面电荷面密度为处，其表面附近的电场强度大小E=Q/W，这电场强度E是由（）。
- A、所有导体表面上的电荷产生的
- B、场点附近的面电荷产生的
- C、该导体上全部电荷产生的
- D、该处无穷小面积元上的电荷产生的
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相似问题和答案
第1题：
(本题8分)真空中有一个半径为R的孤立带电导体球，导体球表面附近的场强大小为E0，试求：
（1）导体球所带电量；
正确答案：
第2题：
真空中有一均匀带电球表面，半径为R，电荷总量为q，则球心处的电场强度大小应为下列哪项数值？（ ）
答案：D
解析：
带电球体中心场强为0，分析如下取中性点半径为r的小球，其场强为：
解得
当 r→0时的极限，即电场强度E=0。
【说明】根据高斯定理，在任意闭合曲面上，电位移向量的面积积分恒等于该闭合曲面内所有自由电荷的代数和，已知带电球面的自由电荷只是分布在表面，内部没有自由电荷，因此球心处的电场强度为0。这种现象又称为静电屏蔽效应，带电球面的中心处电场强度为0。
解得
当 r→0时的极限，即电场强度E=0。
【说明】根据高斯定理，在任意闭合曲面上，电位移向量的面积积分恒等于该闭合曲面内所有自由电荷的代数和，已知带电球面的自由电荷只是分布在表面，内部没有自由电荷，因此球心处的电场强度为0。这种现象又称为静电屏蔽效应，带电球面的中心处电场强度为0。
第3题：
一点电荷q位于一无限大水平接地平板导体之上,距离导体上表面a处,则点电荷的像的电量和位置为()
A.q=q“,距离上表面a,在导体面下侧,与q关于上表面对称
B.q=-q“,距离上表面a,在导体面下侧,与q关于上表面对称
C.q=q“距离上表面,在导体面下侧a2,与q关于上表面不对称
D.q“=-2q,距离上表面a,在导体面下侧,与q关于上表面对称
参考答案：B
第4题：
由于静电感应会在导体中出现感应电荷，它在导体表面的分布情况下决定于导体表面的形状，导体表面弯曲程度愈大的地方，所聚集的电荷就（）。
- A、愈多
- B、愈少
- C、没有
- D、不一定
正确答案:A
第5题：
已知厚度为d的无限大带电导体平板，两表面上电荷均匀分布．电荷面密度均为σ，如图所示，则板外两侧的电场强度的大小为（ ）。
答案：C
解析：
在导体平板两表面外侧取两对称平面，做侧面垂直平板的高斯面，根据高斯定理，考虑到
第6题：
如图所示，真空中有一无限大带电平板，其上电荷密度为，在与其相距x的A点处电场强度为（ ）。
答案：A
解析：
第7题：
已知厚度为d的无限大带电导体平板，两表面上电荷均匀分布，电荷面密度均为σ，如图所示，则板外两侧的电场强度的大小为（）。
A．
B．
C．
D．
A．
B．
C．
D．
答案：C
解析：
在导体平板两表面外侧取两对称平面，做侧面垂直平板的高斯面，根据高斯定理，考虑到两对称平面电场强度相等.且高斯面内电荷为2σS，可得E=σ/ε0
第8题：
导体处于静电平衡状态时,下列说法正确的是()
A、导体所带的电荷均匀的分布在导体内
B、表面曲率较大处电势较高
C、导体内部的电势比导体表面的电势低
D、导体内部任何一点处的电场强度为零,导体表面处电场强度的方向都与导体表面垂直
参考答案：D
第9题：
由于静电感应使导体出现感应电荷。感应电荷分布在导体的表面，其分布情况取决于导体表面的开头导体表面弯曲度愈在的地方，聚集的电荷愈多；较平坦的地方聚集的电荷就少。导体尖端由于电荷密集，电场强度很强，故容易形成“尖端放电”现象。
正确答案:正确
第10题：
导体内部的场强为（），导体表面上任何一点场强的方向必定跟该点的表面（），导体上的静电荷只分布在导体的（）。
正确答案:零；垂直；外表面