计算机等级考试
DRAM存储器是（）。A、动态只读存储器B、动态随机存储器C、静态只读存储器D、静态随机存储器
题目
DRAM存储器是（）。
- A、动态只读存储器
- B、动态随机存储器
- C、静态只读存储器
- D、静态随机存储器
相似问题和答案
第1题：
DRAM存储器的中文含义是______。
A．静态随机存储器
B．动态随机存储器
C．动态只读存储器
D．静态只读存储器
解析：随机存储器(RAM)分为静态随机存储器和动态随机存储器。静态随机存储器：读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。动态随机存储器：读写速度较慢，集成度高，多用于容量较大的主存储器。
第2题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ．DRAM比SRAM成本高
Ⅲ．DRAM比SRAM速度快
Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
解析：本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的，该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程，只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息，电容充电至高电平为“1”，放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏，需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容，这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂，制造成本高，速度也要快。正确答案为选项B。
第3题：
● 下列关于静态存储器 （SRAM） 和动态存储器 （DRAM） 的叙述中， 不正确的是 （9） 。
（9）
A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高
B. DRAM 就是通常说的内存
C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低
D. SRAM 只要不断电，数据就能永久保存
第4题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，其中( )叙述是错误的。
①SRAM比DRAM存储电路简单
②SRAM比DRAM成本高
③SRAM比DRAM速度快
④SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
A．①和②
B．②和③
C．③和④
D．①和④
第5题：
A、cache、DRAM和硬盘
B、DRAM、cache和硬盘
C、硬盘、DRAM和cache
D、DRAM、硬盘和cache
第6题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ．DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ．DRAM比SRAM成本高 Ⅲ．DRAM比SRAM速度快 Ⅳ．DRAM要刷新，SRAM不需刷新 其中正确的是
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
解析：该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM)，即动态随机存储器，需要用恒电流以保存信息，一断电，信息即丢失，它的存取速度不是很快；SRAM (静态RAM)，即静态随机存取存储器(Static RAM)，随机存取存储器的一种，数据存入静态RAM后，只要电源维持不变，其中存储的数据就能够一直维持不变，不需要定时刷新。与动态RAM比，静态RAM的读写速度要快，但由于每个存储单元的结构更复杂，集成度也较低，所以应该选择D。
第7题：
高速缓冲存储器Cache是位于CPU和主存DRAM之间的小容量高速存储器，其采用的是______类型存储器。
扩展电缆的长度
第8题：
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述：
① SRAM比DRAM存储电路简单
② SRAM比DRAM成本高
③ SRAM比DRAM速度快
④ SRAM需要刷新，DRAM不需要刷新
A．①和②
B．②和③
C．③和④
D．①和④
解析：DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息，电容上的电荷会泄露，需要 定时给电容充电，通常，DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入， 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成，利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1，来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新，只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低，速度慢。
第9题：
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述，正确的是( )。
Ⅰ DRAM比SRAM集成度高
Ⅱ DRAM比SRAM成本高
Ⅲ DRAM比SRAM速度快
Ⅳ DRAM需要刷新，SRAM不需要刷新
A．Ⅰ和Ⅱ
B．Ⅱ和Ⅲ
C．Ⅲ和Ⅳ
D．Ⅰ和Ⅳ
第10题：
半导体存储器DRAM与SRAM不同的是需要 ______ 。
定时刷新