实现超微图形成像的()技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
第1题:
反应离子腐蚀是()。
第2题:
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
第3题:
通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。
第4题:
在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。
第5题:
光刻和刻蚀的目的是什么?
第6题:
有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。
第7题:
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种()。
第8题:
铜与氯形成的化合物挥发能力不好,因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行,而必须施以()。
第9题:
单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。
第10题:
微细加工工艺方法主要有:(),光刻加工,体刻蚀加工技术,面刻蚀加工技术,LIGA技术,()和()。