Saturday, January 20, 2024
问题:多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。A、二氧化硅B、氮化硅C、单晶硅D、多晶硅
Monday, August 7, 2023
问题:下列扩散杂质源中,()不仅是硅常用的施主杂质,也是锗常用的施主杂质。A、硼B、锡C、锑D、磷E、砷
Friday, March 29, 2024
问题:一般分析扩散系数,考虑两种条件,即恒定表面浓度条件和()。A、恒定总掺杂剂量B、不恒定总掺杂剂量C、恒定杂志浓度D、不恒定杂志浓度
Monday, March 4, 2024
问题:在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。A、刻蚀B、氧化C、淀积D、光刻
Saturday, October 28, 2023
问题:在磁分析器中常用()分析磁铁。A、柱形B、扇形C、方形D、圆形
Monday, November 11, 2024
Saturday, August 24, 2024
问题:金相学的研磨之所以会在研磨面上造成如刮伤般的痕迹是由于在制程中()。A、氧化铬磨料溶水制成的研磨液B、使用羊毛研磨垫C、采用旋转研磨垫加压的方法D、无法必免的机械损耗
Sunday, April 28, 2024
问题:当二氧化硅膜很薄时,膜厚与时间()。A、t2成正比B、t2成反比C、t成正比D、t成反比
Monday, November 11, 2024
问题:在半导体制造中,熔断丝可以应用在()。A、MOS栅极B、保护性元件C、电容器极板D、制造只读存储器PROME、晶圆背面电镀
Friday, June 28, 2024
Wednesday, April 3, 2024
Sunday, April 28, 2024
问题:如果磷在二氧化硅中扩散,对扩散率影响最大的因素是:()。A、扩散剂总量B、压强C、温度D、浓度
Saturday, January 20, 2024
Friday, September 16, 2022
Sunday, June 30, 2024
问题:离子源腔体中的气体放电形成()而引出正离子的。A、等离子体B、不等离子体C、正离子体D、液电流
Friday, July 7, 2023
Monday, November 13, 2023