问题:下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有()。A、CF4B、BCl3C、Cl2D、F2E、CHF3
Thursday, August 3, 2023
Friday, March 29, 2024
问题:刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
Monday, March 4, 2024
Friday, September 16, 2022
问题:在刻蚀()过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气,能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅
Tuesday, February 6, 2024
Monday, November 13, 2023
Sunday, April 28, 2024
问题:在半导体工艺中,淀积的薄膜层应满足的参数包含有()。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容
Tuesday, February 6, 2024
问题:真空蒸发又被人们称为()。A、真空沉积B、真空镀膜C、真空外延D、真空
Monday, March 4, 2024
Tuesday, March 12, 2024
问题:离子注入的主要气体源中,易燃、易爆的有()。A、砷化氢B、二硼化氢C、三氟化硼D、硅烷E、氧气
Monday, March 4, 2024
问题:静电偏转电极和静电扫描器都是()电容器。A、片状B、针尖状C、圆筒状D、平行板
Friday, September 16, 2022
Monday, August 7, 2023
Friday, September 16, 2022
问题:按加热源的不同,可以分成()几种不同类型的蒸发。A、真空蒸发B、离子束蒸发C、电子束蒸发D、粒子束蒸发E、常压蒸发
Saturday, January 20, 2024
问题:恒定表面浓度的条件下,在整个扩散期间,()保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物
Sunday, April 28, 2024
问题:二氧化硅薄膜厚度的测量方法有()。A、比色法B、双光干涉法C、椭圆偏振光法D、腐蚀法E、电容-电压法
Friday, December 9, 2022
问题:决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团,以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否()而定。A、动能最低B、稳定C、运动D、静止
Friday, September 16, 2022
问题:涂胶以后的晶片,需要在一定的温度下进行烘烤,这一步骤称为()。A、后烘B、去水烘烤C、软烤D、烘烤
Sunday, November 13, 2022