集成电路制造工艺员
“集成电路制造工艺员” 问题列表
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问题：在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。A、MOS栅极B、保护性元件C、电容器极板D、制造只读存储器PROME、晶圆背面电镀
Friday, June 28, 2024
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问题：下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者（）。A、二氧化硅氮化硅B、多晶硅硅化金属C、单晶硅多晶硅D、铝铜E、铝硅
Tuesday, June 13, 2023
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问题：有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。A、离子注入B、刻蚀C、扩散D、光刻
Friday, June 21, 2024
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问题：悬浮在空气中的颗粒称为（）。A、悬浮物B、尘埃C、污染颗粒D、浮质
Friday, July 19, 2024
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Friday, June 28, 2024
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问题：决定吸附原子彼此间能否形成一个稳定的核团，以便于进行凝结的主要因素主宰于所形成的核团是否（）而定。A、动能最低B、稳定C、运动D、静止
Friday, September 16, 2022
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Sunday, September 11, 2022
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问题：光刻工艺中，脱水烘焙的最初温度是（）。A、150－200℃B、200℃左右C、250℃左右D、300℃左右
Friday, December 9, 2022
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问题：恒定表面浓度的条件下，在整个扩散期间，（）保持恒定表面浓度。A、源蒸气B、杂质和惰性气体混合物C、水蒸气和杂志混合物D、杂质、惰性气体、水蒸气混合物
Thursday, November 14, 2024
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Monday, November 11, 2024
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问题：危害半导体工艺的典型金属杂质是（）。A、2族金属B、碱金属C、合金金属D、稀有金属
Thursday, November 14, 2024
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问题：当注入剂量增加到某个值时，损伤量不再增加，趋于饱和。开始饱和的注入剂量称为（）。A、临界剂量B、饱和剂量C、无损伤剂量D、零点剂量
Monday, July 3, 2023
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Monday, November 11, 2024
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问题：涂胶以后的晶片，需要在一定的温度下进行烘烤，这一步骤称为（）。A、后烘B、去水烘烤C、软烤D、烘烤
Sunday, November 13, 2022
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问题：在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。A、均匀性B、表面平整度C、自由应力D、纯净度E、电容
Tuesday, February 6, 2024
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问题：二氧化硅膜的质量要求有（）。A、薄膜表面无斑点B、薄膜中的带电离子含量符合要求C、薄膜表面无针孔D、薄膜的厚度达到规定指标E、薄膜厚度均匀，结构致密
Monday, March 4, 2024
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问题：刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。A、选择性B、均匀性C、轮廓D、刻蚀图案
Thursday, June 13, 2024
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问题：静电偏转电极和静电扫描器都是（）电容器。A、片状B、针尖状C、圆筒状D、平行板
Friday, June 28, 2024
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Thursday, June 13, 2024
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Friday, March 29, 2024