集成电路制造工艺员
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。A、除去光刻胶中剩余的溶剂B、增强光刻胶对晶片表面的附着力C、提高光刻胶的抗刻蚀能力D、有利于以后的去胶工序E、减少光刻胶的缺陷
题目
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
- A、除去光刻胶中剩余的溶剂
- B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
- C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
- D、有利于以后的去胶工序
- E、减少光刻胶的缺陷
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第1题：
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
- A、二氧化硅
- B、氮化硅
- C、光刻胶
- D、去离子水
正确答案:C
第2题：
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
第3题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料
第4题：
由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
- A、刻蚀速率
- B、选择性
- C、各向同性
- D、各向异性
正确答案:B
第5题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
- A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
- B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
- C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
- D、有较高的光敏度
- E、有较高的对比度
正确答案:A,B,C,D,E
第6题：
光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
- A、树脂
- B、感光剂
- C、HMDS
- D、溶剂
- E、PMMA
正确答案:A,B,D
第7题：
光刻的主要工艺流程按照操作顺序是（）。
- A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶
- B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶
- C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶
- D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶
正确答案:C
第8题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
- A、光刻胶
- B、衬底
- C、表面硅层
- D、扩散区
- E、源漏区
正确答案:A,B
第9题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。
第10题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
- A、化学增强
- B、化学减弱
- C、厚度增加
- D、厚度减少
正确答案:A