集成电路制造工艺员
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。A、铜B、铝C、金D、二氧化硅
题目
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
- A、铜
- B、铝
- C、金
- D、二氧化硅
参考答案和解析
正确答案:D
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相似问题和答案
第1题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
- A、等离子体刻蚀
- B、反应离子刻蚀
- C、湿法刻蚀
- D、溅射刻蚀
正确答案:D
第2题：
采用CF4作为气体源对SiO2进行刻蚀，在进气中分别加入O2或H2对刻蚀速率有什么影响？随着O2或H2进气量的增加，对Si和SiO2刻蚀选择性怎样变化？为什么？
正确答案: 加入少量的氧气能够提高Si和SiO2的刻蚀速率。 加入少量的氢气可以导致Si和SiO2的刻蚀速率减慢。 原理：氧气与碳原子反应生成CO和CO2，因此从等离子体中去掉了一些碳，从而增加了氟的浓度。这些等离子体称为富氟等离子体。 氧添加之后对Si的刻蚀速率提升比SiO2的刻蚀要快。 当氧添加含量超过一定值后，二者的刻蚀速率开始下降，是因为气相的氟原子再结合形成氟分子使得自由氟原子减少的缘故。另一方面二者的选择比也会急剧下降，因为吸附在硅表面的氧原子和氧分子会使得硅表现得更像二氧化硅。 往等离子体中加入氢，氢会与氟反应，一方面减少了氟离子的浓度，降低了刻蚀速率。另一方面形成富碳等离子体，过量碳会导致非挥发性的物质累积在侧壁表面，阻滞横向刻蚀的发生。 往CF4等离子体中加入少量的H2将导致硅和二氧化硅的刻蚀速率同时减慢。在中等的H2浓度下，H和F反应生成HF，HF刻蚀SiO2但并不刻蚀Si。同时，各向异性的不挥发性碳氟化合物薄膜的淀积过程得到增强。另一方面，SiO2表面反应生成的CO和CO2可以从系统中抽去，在Si表面确没有这些反应。因此，随着H2的加入，刻蚀SiO2和Si的选择比会急剧上升。
第3题：
刻蚀方法有哪些?()
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
正确答案：ABC
第4题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
- A、干法刻蚀、湿法刻蚀
- B、离子束刻蚀、激光刻蚀
- C、溅射加工、直写加工
- D、以上都可以
正确答案:A
第5题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
- A、n型掺杂区
- B、P型掺杂区
- C、栅氧化层
- D、场氧化层
正确答案:C
第6题：
反应离子腐蚀是（）。
- A、化学刻蚀机理
- B、物理刻蚀机理
- C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
正确答案:C
第7题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
- A、单晶硅刻蚀
- B、多晶硅刻蚀
- C、二氧化硅刻蚀
- D、氮化硅刻蚀
正确答案:A
第8题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
- A、光刻胶
- B、衬底
- C、表面硅层
- D、扩散区
- E、源漏区
正确答案:A,B
第9题：
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
- A、气体
- B、等离子体
- C、固体
- D、液体
正确答案:B
第10题：
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
- A、多晶硅
- B、单晶硅
- C、铝硅铜合金
- D、铜
正确答案:C