集成电路制造工艺员
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
题目
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
- A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
- B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
- C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
- D、有较高的光敏度
- E、有较高的对比度
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相似问题和答案
第1题：
在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。
- A、DQN
- B、CA
- C、ARC
- D、PMMA
正确答案:A
第2题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。
第3题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料
第4题：
名词解释题
光刻胶
正确答案：
又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
解析：
暂无解析
第5题：
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。
- A、ARC
- B、HMDS
- C、正胶
- D、负胶
正确答案:C
第6题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
- A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
- B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
- C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
- D、有较高的光敏度
- E、有较高的对比度
正确答案:A,B,C,D,E
第7题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
- A、除去光刻胶中剩余的溶剂
- B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
- C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
- D、有利于以后的去胶工序
- E、减少光刻胶的缺陷
正确答案:A,B,C,E
第8题：
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
第9题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。
- A、化学增强
- B、化学减弱
- C、厚度增加
- D、厚度减少
正确答案:A
第10题：
问答题
负性和正性光刻胶有什么区别和特点？
正确答案：
特点：光刻胶都对大部分可见光灵敏，对黄光不灵敏。
区别：负性光刻胶使用时，未感光部分被适当的溶剂刻蚀，而感光部分留下，所得图形与掩膜版图形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案相同。
区别：负性光刻胶使用时，未感光部分被适当的溶剂刻蚀，而感光部分留下，所得图形与掩膜版图形相反；正性光刻胶所得图形与掩膜板图案相同。
解析：
暂无解析