第1题:
第2题:
硅二极管的正向导通电压约为()
第3题:
A、0.5V
B、0.7V
C、0.3V
D、0.1V
第4题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
第5题:
二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()
第6题:
硅材料二极管的正向导通电压约为()。
第7题:
在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。
第8题:
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。
A、0.2
B、0.3
C、0.5
D、0.7
第9题:
晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
第10题:
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。