工学
判断题通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。A 对B 错
题目
判断题
通常称在低阻衬底材料上生长高阻外延层的工艺为正向外延，反之称为反向外延。
A
对
B
错
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相似问题和答案
第1题：
每一个概念都包括内涵与外延两个方面。概念的内涵和外延的关系是( )
A.内涵越大，外延越大
B.内涵越小，外延越小
C.内涵越大，外延越小
D.内涵越小，外延越大
B.内涵越小，外延越小
C.内涵越大，外延越小
D.内涵越小，外延越大
答案：C,D
解析：
概念的内涵是指概念的质，即概念所反映的事物的本质特征。外延是指概念的量，即概念的范围。如“脊椎动物”这个概念的内涵是有生命和有脊椎，它的外延包括一切有脊椎的动物。而“鸟”这个概念的内涵除了有生命和有脊椎之外，还有有羽毛、无齿有喙等，它的外延只是一切鸟类。“鸟”的内涵相对“脊椎动物”增加了，而它的外延却变小了。
第2题：
在SOP中，断定全部外延的是（），没有断定全部外延的是（）。
正确答案:项“P”；主项“S”
第3题：
利用外延生长技术在衬底上形成所需的外延层后,还要经过什么工艺,才能形成一颗颗独立的LED芯片?
答案：电极成型、研磨、切割等工艺。
第4题：
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
正确答案:不够；质量差
第5题：
什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
正确答案:外延层是指在硅的外延中以硅基片为籽晶生长一薄膜层，新的外延层会复制硅片的晶体结构，并且结构比原硅片更加规则。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廓，而这些因素与硅片衬底无关的，这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。外延层还可以减少CMOS器件中的闩锁效应。
第6题：
外延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、（）、固相外延等。
正确答案:化学气相；液相；原子束外延
第7题：
硅外延生长工艺包括（）。
- A、衬底制备
- B、原位HCl腐蚀
- C、生长温度，生长压力，生长速度
- D、尾气的处理
正确答案:A,B,C,D
第8题：
LED地材料制备包括什么?()
A.外延片地制备
B.衬底材料地制备
C.外延片地生长
D.衬底材料地生长
正确答案：BC
第9题：
延生长方法比较多，其中主要的有（）外延、（）外延、金属有机化学气相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。
正确答案:化学气相；液相；分子束
第10题：
LED的材料制备包括什么（）。
- A、外延片的制备
- B、衬底材料的制备
- C、外延片的生长
- D、衬底材料的生长
正确答案:B,C