工学
填空题光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
题目
填空题
光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。
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相似问题和答案
第1题：
解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？
正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上，负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面，这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化，它将留在硅片表面，作为后步工艺的保护层，不需要改变掩膜版的极性，并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀，所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶，深紫外光刻胶。
第2题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
- A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
- B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
- C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
- D、有较高的光敏度
- E、有较高的对比度
正确答案:A,B,C,D,E
第3题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料
第4题：
填空题
光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。
正确答案：
溶解度,温度,甩胶时间,转速
解析：
暂无解析
第5题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
- A、除去光刻胶中剩余的溶剂
- B、增强光刻胶对晶片表面的附着力
- C、提高光刻胶的抗刻蚀能力
- D、有利于以后的去胶工序
- E、减少光刻胶的缺陷
正确答案:A,B,C,E
第6题：
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域，其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。
第7题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
正确答案:连续喷雾显影、旋覆浸没显影。
显影温度，显影时间，显影液量，硅片洗盘，当量浓度，清洗，排风。
第8题：
光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。
- A、树脂
- B、感光剂
- C、HMDS
- D、溶剂
- E、PMMA
正确答案:A,B,D
第9题：
问答题
什么是负胶分辨率的限制，哪种胶应用在亚微米光刻胶中？
正确答案：
由于显影时的变形和膨胀，负性光刻胶通常只有2μm的分辨率。
正性光刻胶。
正性光刻胶。
解析：
暂无解析
第10题：
问答题
给出硅片制造中光刻胶的两种目的。
正确答案：
1.将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中。
2.在后续工艺中保护下面的材料。
2.在后续工艺中保护下面的材料。
解析：
暂无解析