第1题:
倒闸操作要求设备应具有明显的标志,包括()
第2题:
简述直流盘的倒闸操作(逆变器,整流器的投入和停止等)步骤。
第3题:
简述STR自动分型技术的主要步骤。
第4题:
简述硼掺杂Si的导电机制。
第5题:
简述柱塞泵(计量泵)的开停及倒泵步骤。
第6题:
简述强制循环泵倒泵的操作步骤?
第7题:
简述什么是食品掺假、掺杂和伪造?
第8题:
简述倒机操作步骤。
第9题:
简述倒划眼的操作步骤是怎样的。
第10题:
简述技术定额法的步骤。
问答题简述CMOS IC工艺中的三种阱区形成工艺
判断题在现代集成电路加工技术中,主流的掺杂技术是扩散掺杂。A 对B 错
简述技术等级制的操作步骤。
问答题简述进行掺杂的作用(目的)。
问答题简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。
问答题N阱CMOS主要工艺步骤是什么?
问答题简述砷掺杂Si的导电机理
问答题简述掺杂的两种方法
问答题简述关节松动技术的实施步骤。
简述农业机械化技术示范的程序和步骤(只列步骤即可)。