工学
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相似问题和答案
第1题：
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:A
第2题：
问答题
列举离子注入设备的5个主要子系统。
正确答案：
1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
解析：
暂无解析
第3题：
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:B
第4题：
问答题
扩散掺杂与离子注入掺杂所形成的杂质浓度分布各自的特点是什么？与扩散掺杂相比离子注入掺杂的优势与缺点各是什么？
正确答案：
扩散杂质所形成的浓度分布：杂质掺杂主要是由高温的扩散方式来完成，杂质原子通过气相源或掺杂过的氧化物扩散或淀积到硅晶片的表面，这些杂质浓度将从表面到体内单调下降，而杂质分布主要是由温度与扩散时间来决定。离子注入杂质所形成的浓度分布：掺杂离子以离子束的形式注入半导体内，杂质浓度在半导体内有个峰值分布，杂质分布主要由离子质量和注入能量决定。
（1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
（2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
（1）.离子注入掺杂的优势：相对于扩散工艺，离子注入的主要好处在于能更正确地控制掺杂原子数目、掺杂深度、横向扩散效应小和较低的工艺温度，较低的温度适合对化合物半导体进行掺杂，因为高温下化合物的组分可能发生变化，另外，较低的温度也使得二氧化硅、氮化硅、铝、光刻胶、多晶硅等都可以用作选择掺杂的掩蔽膜，热扩散方法的掩膜必须是耐高温材料。
（2）离子注入掺杂的缺点：主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。
解析：
暂无解析
第5题：
填空题
离子注入的两种阻滞机制：（）
正确答案：
原子核阻滞和电子阻滞
解析：
暂无解析
第6题：
离子注入
正确答案:离子注入：将预先选择的元素原子电离，经电场加速，获得高能量后注入工件的表面改性工艺。
第7题：
问答题
离子注入的主要缺点是什么？如何克服？
正确答案：
1、高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。（高温退火进行修复）。
2、注入设备的复杂性。（被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）。
2、注入设备的复杂性。（被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）。
解析：
暂无解析
第8题：
离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
正确答案:氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。
第9题：
问答题
简述离子注入原理
正确答案：
离子注入是将被掺杂的杂质原子或分子进行离子化，经磁场选择和电场加速到一定的能量，形成一定电流密度的离子束流后被直接打进（扫描注入）半导体晶圆内部去。
具有一定动能的离子射进硅片内部后，由于硅片内原子核和电子的不规则作用，以及和硅原子多次的碰撞，而使得注入的离子能量逐渐受到消耗，离子注入速度减慢，在硅片内部移动到一定的距离就停止在硅片内某一位臵上，形成PN结。
具有一定动能的离子射进硅片内部后，由于硅片内原子核和电子的不规则作用，以及和硅原子多次的碰撞，而使得注入的离子能量逐渐受到消耗，离子注入速度减慢，在硅片内部移动到一定的距离就停止在硅片内某一位臵上，形成PN结。
解析：
暂无解析
第10题：
问答题
离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？
正确答案：
氧化层保护表面免污染，免注入损伤，控制注入温度。
解析：
暂无解析