工学
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相似问题和答案
第1题：
填空题
由于O2在SiO2中的扩散率远（）于Si 在SiO2中的扩散率，所以氧化反应是由O2穿过SiO2层，在（）界面与Si原子反应。相同温度下，湿氧氧化速率（）于干氧氧化速率，是因为在SiO2中，H2O比O2有更（）的扩散率和溶解度。由于N2和Si在Si3N4中的扩散率都很（），所以很难在Si衬底上热生长Si3N4。通常在Si衬底上用（）法沉积Si3N4薄膜。
正确答案：
高,Si-SiO2,高,高,低,PECVD
解析：
暂无解析
第2题：
问答题
简述干氧氧化与湿氧氧化各自的特点，通常用哪种工艺制备较厚的二氧化硅层？
正确答案：
干氧氧化：（优）结构致密，表面平整光亮；对杂质掩蔽能力强；钝化效果好；生长均匀性、重复性好；表面对光刻胶的粘附好，（缺）生长速率非常慢。
湿氧氧化：（优）生长速率介于干O2与水汽氧化之间；可由水温、炉温调节生长速率，工艺灵活性大；对杂质的掩蔽能力、钝化效果能满足工艺要求，（缺）表面存在羟基使其对光刻胶的粘附不好。
通常用湿氧氧化工艺制备较厚的二氧化硅层。在实际生产中，对于制备较厚的二氧化硅层来说往往采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式，既保证了二氧化硅层表面和Si-SiO2界面的质量，有解决了生长效率的问题。
湿氧氧化：（优）生长速率介于干O2与水汽氧化之间；可由水温、炉温调节生长速率，工艺灵活性大；对杂质的掩蔽能力、钝化效果能满足工艺要求，（缺）表面存在羟基使其对光刻胶的粘附不好。
通常用湿氧氧化工艺制备较厚的二氧化硅层。在实际生产中，对于制备较厚的二氧化硅层来说往往采用干氧-湿氧-干氧相结合的氧化方式，既保证了二氧化硅层表面和Si-SiO2界面的质量，有解决了生长效率的问题。
解析：
暂无解析
第3题：
（）的方法有利于减少热预算。
- A、高压氧化
- B、湿氧氧化
- C、掺氯氧化
- D、氢氧合成氧化
- E、等离子增强氧化
正确答案:A,E
第4题：
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
- A、干氧氧化
- B、湿氧氧化
- C、水汽氧化
- D、与氧化方法无关
正确答案:A