工学

多选题采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层,是利用其具有的()A高电阻率;B高化学稳定性;C低介电常数;D高介电强度。

题目
多选题
采用二氧化硅薄膜作为栅极氧化层,是利用其具有的()
A

高电阻率;

B

高化学稳定性;

C

低介电常数;

D

高介电强度。

参考答案和解析
正确答案: D,A
解析: 暂无解析
如果没有搜索结果,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

目前常用的嗅敏检漏仪,采用以()为主的金属氧化物半导体作为检测元件。

  • A、二氧化锡
  • B、二氧化硅
  • C、二氧化铁
  • D、二氧化锌

正确答案:A

第2题:

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。


正确答案:含有硅的化合物

第3题:

场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。

A.原极;

B.漏极;

C.栅极;


参考答案:B

第4题:

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

  • A、n型掺杂区
  • B、P型掺杂区
  • C、栅氧化层
  • D、场氧化层

正确答案:C

第5题:

二氧化硅膜的质量要求有()。

  • A、薄膜表面无斑点
  • B、薄膜中的带电离子含量符合要求
  • C、薄膜表面无针孔
  • D、薄膜的厚度达到规定指标
  • E、薄膜厚度均匀,结构致密

正确答案:A,B,C,D,E

第6题:

二氧化硅薄膜在集成电路中具有怎样的应用?


正确答案:①器件保护(避免划伤和污染),因sio2致密;
②表面钝化(饱和悬挂键,降低界面态;需一定厚度,降低漏电流等);
③用作绝缘介质和隔离(LOCOS,STI)如:隔离(如场氧,需要一定的厚度);
④绝缘栅(膜厚均匀,无电荷和杂质,需干氧氧化)、多层布线绝缘层、电容介质等;
⑤选择性扩散掺杂的掩膜。

第7题:

下列几种氧化方法相比,哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些()。

  • A、干氧氧化
  • B、湿氧氧化
  • C、水汽氧化
  • D、与氧化方法无关

正确答案:A

第8题:

现代计算机系统的内存主要采用的是()。

A.二氧化硅

B.铝金属薄膜材质

C.半导体存储器件

D.聚碳酸酯材质


参考答案:C

第9题:

干氧氧化法具备以下一系列的优点()。

  • A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
  • B、生长的二氧化硅干燥
  • C、生长的二氧化硅结构致密
  • D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
  • E、生长的二氧化硅掩蔽能力强

正确答案:A,B,C,D,E

第10题:

二氧化硅薄膜的折射率是表征其()学性质的重要参数。

  • A、电
  • B、磁
  • C、光
  • D、热

正确答案:C

更多相关问题