工学
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相似问题和答案
第1题：
根据《国家电网公司输变电工程标准工艺管理办法》，简述监理单位（监理项目部）在“标准工艺”应用中的工作责任。
正确答案:编制“标准工艺”实施控制策划。
组织对监理人员进行“标准工艺”的宣贯和培训。
审核施工项目部“标准工艺”实施策划文件。
检查“标准工艺”实施情况，负责对设计、施工项目部“标准工艺”实施情况的评估。
第2题：
简述生物工艺在环保产业中的应用？
正确答案: 环境治理：生物工艺处理污染物最终产物是无毒的稳定物质，通常一步到位，所以在水、大气污染控制，有毒有害物质降解、清洁可再生能源开发等环保方面作用重大。
环境监测：利用生物技术开发的监测方法和手段如生物传感器、生物芯片、核酸探针等能实现快速在线分析。
环境修复：通过调节污染地的环境条件可以有效调节环境中微生物的数量和类群，促使其转化和降解完全进行。
金属回收：利用微生物催化作用将矿物中的金属氧化，以离子形式溶解加以回收利用。
第3题：
目前集成电路中的主流产品采用CMOS工艺,请问CMOS的汉语全称是什么?
答案：互补金属氧化物半导体。
第4题：
问答题
简述部分离子注入工艺的作用。
正确答案：
①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。
解析：
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第5题：
问答题
简述离子注入的优缺点
正确答案：
优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无固溶度极限
缺点：
A.高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）
B.注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补） 重要的离子注入参数 剂量、射程
缺点：
A.高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）
B.注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补） 重要的离子注入参数 剂量、射程
解析：
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第6题：
在CMOS芯片旁边的“CMOS Reset”跳线用于清除CMOS中的信息。
正确答案:正确
第7题：
问答题
简述离子注入工艺中退火的主要作用？
正确答案：
由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，增加了散射中心及陷阱能级，使迁移率和寿命等半导体参数下降。此外，大部分的离子在被注入时并不位于替位位置，未退火之前的注入区域将呈显高阻区。为（1）激活被注入的离子（使其变成替位杂质）；（2）恢复有序的晶格结构（如果是无定形结构，就谈不上替位杂质与间隙杂质），其目的是恢复迁移率（减少散射中心）和恢复寿命（减少缺陷能级，减少陷阱），必须在适当的时间与温度下将半导体退火。
解析：
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第8题：
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
正确答案:离子注入的优点：
（1）精确控制杂质含量和分布
（2）很好的杂质均匀性
（3）对杂质穿透深度有很好的控制
（4）产生单一离子束
（5）低温工艺
（6）注入的离子能穿透薄膜
（7）无固溶度极限
离子注入的缺点：
（1）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤
（2）注入设备的复杂性
第9题：
问答题
简述离子注入的原理？
正确答案：
离子注入是离子被强电场加速后注入靶中，离子受靶原子阻止，停留其中，经退火后杂质进入替位、电离成为具有电活性的杂质。这一过程是一非平衡的物理过程（扩散为化学过程）
解析：
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第10题：
问答题
简述硅栅CMOS工艺版图和工艺的关系。
正确答案：
N阱——做N阱的封闭图形处，窗口注入形成P管的衬底
有源区——做晶体管的区域（G，D，S，B），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层
多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅。
有源区注入——P+，N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入
接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。
金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝
通孔——两层金属连线之间连接的端子
金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝
有源区——做晶体管的区域（G，D，S，B），封闭图形处是氮化硅掩蔽层，该处不会长场氧化层
多晶硅——做硅栅和多晶硅连线。封闭图形处，保留多晶硅。
有源区注入——P+，N+区。做源漏及阱或衬底连接区的注入
接触孔——多晶硅，扩散区和金属线1接触端子。
金属线1——做金属连线，封闭图形处保留铝
通孔——两层金属连线之间连接的端子
金属线2——做金属连线，封闭图形处保留铝
解析：
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