工学
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相似问题和答案
第1题：
离子注入
正确答案:离子注入：将预先选择的元素原子电离，经电场加速，获得高能量后注入工件的表面改性工艺。
第2题：
问答题
简述离子注入的优缺点
正确答案：
优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无固溶度极限
缺点：
A.高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）
B.注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补） 重要的离子注入参数 剂量、射程
缺点：
A.高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）
B.注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补） 重要的离子注入参数 剂量、射程
解析：
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第3题：
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:B
第4题：
问答题
简述离子注入效应。
正确答案：
沟道效应：当注入离子未与硅原子碰撞减速，而是穿透了晶格间隙时就发生了沟道效应。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片；
②缓冲氧化层；
③硅预非晶化（低能量（1KEV）浅注入应用非常有效）；
④使用质量较大的原子。
注入损伤：高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤。
消除晶格损伤的方法：①注入缓冲层；
②离子注入退火工艺。
控制沟道效应的方法：①倾斜硅片；
②缓冲氧化层；
③硅预非晶化（低能量（1KEV）浅注入应用非常有效）；
④使用质量较大的原子。
注入损伤：高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤。
消除晶格损伤的方法：①注入缓冲层；
②离子注入退火工艺。
解析：
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第5题：
问答题
简述离子注入的原理？
正确答案：
离子注入是离子被强电场加速后注入靶中，离子受靶原子阻止，停留其中，经退火后杂质进入替位、电离成为具有电活性的杂质。这一过程是一非平衡的物理过程（扩散为化学过程）
解析：
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第6题：
问答题
简述离子注入机的各部分工作原理？
正确答案：
离子注入机主要由离子源、分析磁体、加速聚焦器、扫描偏转系统、靶室及终端台和真空系统6大部分组成。
1）离子源的目的是把要注入的杂质原子电离成为离子，形成注入离子束，并具有一定动能（速度）的正离子束。
2）磁分析器 就是根据不同离子其运动半径不同的原理，将不同的离子一一分离开来。
3）加速聚焦器： 离子源的吸极最高负压一般不能达到注入离子能量的要求，如果需要
更高的能量就必须再添加高压进行第二次的加速，完成此功能的就是后加速器。
4）扫描偏转系统： 要使整个硅片表面都能均匀地注入离子，需要束流对硅片进行扫描，对靶片进行大面积离子注入，使整个靶片得到均匀的杂质离子分布。
5）靶室及终端台：让离子束流能注入进去 监测注入的离子数量。
6）真空系统：一般用真空泵和闭合的抽气系统来实现。
1）离子源的目的是把要注入的杂质原子电离成为离子，形成注入离子束，并具有一定动能（速度）的正离子束。
2）磁分析器 就是根据不同离子其运动半径不同的原理，将不同的离子一一分离开来。
3）加速聚焦器： 离子源的吸极最高负压一般不能达到注入离子能量的要求，如果需要
更高的能量就必须再添加高压进行第二次的加速，完成此功能的就是后加速器。
4）扫描偏转系统： 要使整个硅片表面都能均匀地注入离子，需要束流对硅片进行扫描，对靶片进行大面积离子注入，使整个靶片得到均匀的杂质离子分布。
5）靶室及终端台：让离子束流能注入进去 监测注入的离子数量。
6）真空系统：一般用真空泵和闭合的抽气系统来实现。
解析：
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第7题：
问答题
简述沟道效应的含义及其对离子注入可能造成的影响如何避免？
正确答案：
对晶体进行离子注入时，当离子注入的方向与与晶体的某个晶向平行时，一些离子将沿沟道运动，受到的核阻止作用很小，而且沟道中的电子密度很低。受到的电子阻止也很小，这些离子的能量损损失率很低，注入深度就会大于无定形衬底中深度，这种现象称为沟道效应。
沟道效应的存在，使得离子注入的浓度很难精确控制，因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾，偏离预计的高斯分布规律。
沟道效应降低的技巧：
（1）、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。
（2）、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果。
（3）、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层。
沟道效应的存在，使得离子注入的浓度很难精确控制，因为它会使离子注入的分布产生一个很厂的拖尾，偏离预计的高斯分布规律。
沟道效应降低的技巧：
（1）、覆盖一层非晶体的表面层、将硅晶片转向或在硅晶片表面制造一个损伤的表层。
（2）、将硅晶片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果。
（3）、先注入大量硅或锗原子以破坏硅晶片表面，可在硅晶片表面产生一个随机层。
解析：
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第8题：
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:A
第9题：
问答题
简述部分离子注入工艺的作用。
正确答案：
①深埋层注入：高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。
②倒掺杂阱注入：高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。
③穿通阻挡层注入：作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。
④轻掺杂漏区（LDD）注入：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。
⑤超浅结注入：大束流低能注入。作用：抑制短沟道效应。
解析：
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第10题：
问答题
列举离子注入设备的5个主要子系统。
正确答案：
1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
解析：
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