工学
填空题离子注入的两种阻滞机制：（）
题目
填空题
离子注入的两种阻滞机制：（）
参考答案和解析
正确答案：
原子核阻滞和电子阻滞
解析：
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相似问题和答案
第1题：
例举离子注入设备的5个主要子系统。
正确答案:（1）离子源：待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。注入离子在离子源中产生
（2）引出电极（吸极）和离子分析器：传统注入机吸极系统收集离子源中产生的所有正离子并使它们形成粒子束，离子通过离子源上的一个窄缝得到吸收。
（3）加速管：为了获得更高的速度，出了分析器磁铁，正离子还要再加速管中的电场下进行加速
（4）扫描系统扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键租用。
（5）工艺室------离子束向硅片的注入发生在工艺腔中。
第2题：
离子注入
正确答案:离子注入：将预先选择的元素原子电离，经电场加速，获得高能量后注入工件的表面改性工艺。
第3题：
钩藤抗心律失常作用的机制是（ ）。
A、减慢心率
B、延长传导时间
C、阻滞β受体
D、阻滞钙通道
E、机制不清
参考答案：D
第4题：
问答题
离子注入的主要缺点是什么？如何克服？
正确答案：
1、高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤。（高温退火进行修复）。
2、注入设备的复杂性。（被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）。
2、注入设备的复杂性。（被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补）。
解析：
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第5题：
问答题
简述离子注入机的各部分工作原理？
正确答案：
离子注入机主要由离子源、分析磁体、加速聚焦器、扫描偏转系统、靶室及终端台和真空系统6大部分组成。
1）离子源的目的是把要注入的杂质原子电离成为离子，形成注入离子束，并具有一定动能（速度）的正离子束。
2）磁分析器 就是根据不同离子其运动半径不同的原理，将不同的离子一一分离开来。
3）加速聚焦器： 离子源的吸极最高负压一般不能达到注入离子能量的要求，如果需要
更高的能量就必须再添加高压进行第二次的加速，完成此功能的就是后加速器。
4）扫描偏转系统： 要使整个硅片表面都能均匀地注入离子，需要束流对硅片进行扫描，对靶片进行大面积离子注入，使整个靶片得到均匀的杂质离子分布。
5）靶室及终端台：让离子束流能注入进去 监测注入的离子数量。
6）真空系统：一般用真空泵和闭合的抽气系统来实现。
1）离子源的目的是把要注入的杂质原子电离成为离子，形成注入离子束，并具有一定动能（速度）的正离子束。
2）磁分析器 就是根据不同离子其运动半径不同的原理，将不同的离子一一分离开来。
3）加速聚焦器： 离子源的吸极最高负压一般不能达到注入离子能量的要求，如果需要
更高的能量就必须再添加高压进行第二次的加速，完成此功能的就是后加速器。
4）扫描偏转系统： 要使整个硅片表面都能均匀地注入离子，需要束流对硅片进行扫描，对靶片进行大面积离子注入，使整个靶片得到均匀的杂质离子分布。
5）靶室及终端台：让离子束流能注入进去 监测注入的离子数量。
6）真空系统：一般用真空泵和闭合的抽气系统来实现。
解析：
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第6题：
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:A
第7题：
什么叫离子注入，它的特点是什么？
正确答案: 在真空中将元素电离，并加高压使离子以很高速度硬挤入工件表面的工艺过程叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注
入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度
能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注
入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度
能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
第8题：
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:B
第9题：
问答题
列举离子注入设备的5个主要子系统。
正确答案：
1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
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第10题：
问答题
离子注入后为何退火？
正确答案：
因为大部分注入的离子并不是以替位形式处在晶格点阵位置上，而是处于间隙位置，无电活性，一般不能提供导电性能，所以离子注入后要退火。
解析：
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