工学
填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
题目
填空题
在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是（），单管输出功率最大的是（），应用最为广泛的是（）。
参考答案和解析
正确答案：
MOSFET,GTO,IGBT
解析：
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相似问题和答案
第1题：
IGBT是一个复合型的器件,它是( )
A.GTR驱动的MOSFET
B.MOSFET驱动的GTR&"160;
C.MOSFET驱动的晶闸管
D.MOSFET驱动的GTO
参考答案：B
第2题：
可关断晶闸管的英语缩写是（）。
- A、“IGBT”
- B、“BJT”
- C、“GTO”
- D、“MOSFET”
正确答案:C
第3题：
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。
A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT
B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT
C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE
D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
正确答案:C
第4题：
IGBT的主体部分与GTR类似，控制部分与场效应管类似，下面属于IGBT具有的优点的有（）
- A、电磁噪音很小
- B、电流波形大为改善，电机的转矩增大
- C、IGBT管二次击穿现象小
- D、最大管子容量比GTO管大的多
正确答案:A,B,C
第5题：
GTO、GTR、IGBT均属于全控型器件。
正确答案:正确
第6题：
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。
A、GTR驱动的MOSFET
B、MOSFET驱动的GTR
C、MOSFET驱动的晶闸管
D、MOSFET驱动的GT0
参考答案：B
第7题：
已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力（）晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等
正确答案:场效应
第8题：
IGBT有哪些缺点?( )
A、开关速度不及电力MOSFET
B、开关速度比电力MOSFET快
C、电压、电流容量不及GTO
D、电压、电流容量比GTO大
正确答案:A,C
第9题：
IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？
正确答案: IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。
第10题：
说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。
正确答案:绝缘栅双极晶体管IGBT：
（1）优点：开关速度快、开关损耗低、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小。
（2）缺点：开关速度低于电力效应晶体管、电压、电流容量不及GTO。
电力晶体管GTR：
（1）优点：开关特性好、饱和压降低、通流能力强、耐压高。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、存在二次击穿问题。
门极可关断晶闸管GTO：
（1）优点：通流能力强、电流、电压容量大、具有电导调制效应。
（2）缺点：开关速度低、驱动功率大、驱动电路复杂、开关频率低。
电力场效应管MOSFET：
（1）优点：开关速度快、输入阻抗高、驱动功率小、驱动电路简单、热稳定性好。
（2）缺点：电流容量小、耐压低。