工学

判断题NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。A 对B 错

题目
判断题
NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A

B

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第1题:

MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:正确

第2题:

功率场效应晶体管一般为()。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、P沟道增强型


正确答案:B

第3题:

按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( )

A、耗尽型

B、增强型

C、P沟道

D、N沟道


参考答案:CD

第4题:

结型场效应管的类型有()。

  • A、N沟道结型场效应管
  • B、P沟道结型场效应管
  • C、N沟道增强型MOS管
  • D、P沟道增强型MOS管
  • E、N沟道耗尽型MOS管
  • F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

第5题:

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管


参考答案:AB

第6题:

功率场效应晶体管一般为()。

A.P沟道耗尽型

B.P沟道增强型

C.N沟道耗尽型

D.N沟道增强型


正确答案:D

第7题:

电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。


参考答案:P沟道;N沟道;耗尽型;增强型;N沟道增强型

第8题:

场效应管有结型和绝缘栅型两类,每一类中又分()两种。

A、N沟道和P沟道

B、H沟道和P沟道

C、N沟道和H沟道

D、Y沟道和H沟道


参考答案:A

第9题:

单极型集成电路不包含().

  • A、普通晶体管(NPN管或PNP管)
  • B、P沟道MOS管
  • C、N沟道MOS管
  • D、互补型MOS(即CMOS)

正确答案:A

第10题:

TTL集成门电路是指()。

  • A、二极管---三极管集成门电路
  • B、晶体管---晶体管集成门电路
  • C、N沟道场效应管集成门电路
  • D、P沟道场效应管集成门电路

正确答案:B

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