工学
判断题在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A 对B 错
题目
判断题
在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
A
对
B
错
参考答案和解析
正确答案：
对
解析：
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相似问题和答案
第1题：
器件的横向尺寸控制几乎全由（）来实现。
- A、掩膜版
- B、扩散
- C、光刻
正确答案:C
第2题：
试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。
正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。
第3题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
正确答案:一、将掩膜版图案转移到硅片表面顶层的光刻胶中
二、在后续工艺中，保护下面的材料
第4题：
大硅片上生长的（）的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
- A、薄膜厚度
- B、图形宽度
- C、图形长度
- D、图形间隔
正确答案:A
第5题：
集成电路中的元件是用（）的工艺在同一块硅片上大批制造的，所以其性能比较一致。
- A、特殊
- B、专用
- C、相同
- D、不同
正确答案:C
第6题：
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
正确答案:错误
第7题：
实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。
- A、光刻
- B、刻蚀
- C、氧化
- D、溅射
正确答案:A
第8题：
光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
- A、刻制图形
- B、绘制图形
- C、制作图形
正确答案:A
第9题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
- A、干法刻蚀、湿法刻蚀
- B、离子束刻蚀、激光刻蚀
- C、溅射加工、直写加工
- D、以上都可以
正确答案:A
第10题：
在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。
- A、刻蚀
- B、氧化
- C、淀积
- D、光刻
正确答案:D