工学

单选题SRAM和DRAM存储原理不同,它们分别靠()来存储0和1的。A 双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷B 内部熔丝是否断开和双稳态触发器C 极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷D 极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态

题目
单选题
SRAM和DRAM存储原理不同,它们分别靠()来存储0和1的。
A

双稳态触发器的两个稳态和极间是否有足够的电荷

B

内部熔丝是否断开和双稳态触发器

C

极间电荷和浮置栅是否积累足够的电荷

D

极间是否有足够的电荷和双稳态触发器的两个稳态

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第1题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要 定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入, 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

第2题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ.DRAM比SRAM成本高

Ⅲ.DRAM比SRAM速度快

Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:B
解析:本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的,该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程,只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容充电至高电平为“1”,放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏,需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容,这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂,制造成本高,速度也要快。正确答案为选项B。

第3题:

下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是( )。

A.RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类

B.SRAM的集成度比DRAM高

C. DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据无须刷新


正确答案:A
DRAM,动态随机存取存储器,需要不断的刷新,才能保存数据,而且是行列地址复用的,许多都有页模式。SRAM,静态的随机存取存储器,通电情况下,不需要刷新,数据不会丢失,而且,一般不是行列地址复用的。

第4题:

PC中既使用ROM,也使用SRAM和DRAM。下面关于ROM、SRAM和DRAM的叙述中,正确的是( )。

A.SRAM和DRAM都是RAM,芯片掉电后,存放在SRAM和DRAM芯片中的内容都会丢失

B.PC中CMOS RAM中的信息,在PC关机后一般也会丢失

C.由于SRAM的速度比DRAM的慢,因此,在PC中,DRAM主要用作高速缓冲存储器(Cache)而内存条则由SRAM组成

D.ROM和SRAM及DRAM都是半导体存储器,因此,现常用ROM代替RAM来存放原来存放在CMOS RAM中的信息


正确答案:A

第5题:

SRAM和DRAM都是随机读写存储器,它们共同的特点是数据可读可写。()


正确答案:对

第6题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D
解析:该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM),即动态随机存储器,需要用恒电流以保存信息,一断电,信息即丢失,它的存取速度不是很快;SRAM (静态RAM),即静态随机存取存储器(Static RAM),随机存取存储器的一种,数据存入静态RAM后,只要电源维持不变,其中存储的数据就能够一直维持不变,不需要定时刷新。与动态RAM比,静态RAM的读写速度要快,但由于每个存储单元的结构更复杂,集成度也较低,所以应该选择D。

第7题:

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ.SRAM比DRAM成本高

Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:B
解析:SRAM的工作速度快(如2ns):不需要刷新电路,因此使用简单:在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出);但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息,而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息),功能较大,制造成本高,价格贵。选项B正确。

第8题:

● 下列关于静态存储器 (SRAM) 和动态存储器 (DRAM) 的叙述中, 不正确的是 (9) 。

(9)

A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高

B. DRAM 就是通常说的内存

C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低

D. SRAM 只要不断电,数据就能永久保存


正确答案:A

第9题:

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D

第10题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D

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