每位晶体管数目多,访问时间短,抗干扰强,花费高
每位晶体管数目多,访问时间长,抗干扰强,花费高
每位晶体管数目少,访问时间长,抗干扰弱,花费高
每位晶体管数目少,访问时间短,抗干扰强,花费低
第1题:
● 下列关于静态存储器 (SRAM) 和动态存储器 (DRAM) 的叙述中, 不正确的是 (9) 。
(9)
A. DRAM 比SRAM 速度快、价格高
B. DRAM 就是通常说的内存
C. DRAM 比SRAM 集成度高、功耗低
D. SRAM 只要不断电,数据就能永久保存
第2题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述: Ⅰ.DRAM芯片的集成度比SRAM高 Ⅱ.DRAM芯片的成本比SRAM高 Ⅲ.DRAM芯片的速度比SRAM快 Ⅳ.DRAM芯片工作时需要刷新,SRAM芯片工作时不需刷新 通常情况下,哪两个叙述是错误的?
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第3题:
A.寄存器,Cache,SRAM,DRAM,磁盘,光盘,磁带
B.Cache,寄存器,SRAM,DRAM,磁盘,光盘,磁带
C.寄存器,Cache,DRAM,SRAM,磁盘,光盘,磁带
D.寄存器,Cache,SRAM,DRAM,磁带,磁盘,光盘
第4题:
A、DRAM比SRAM速度快
B、DRAM比SRAM价格低
C、DRAM比SRAM较容易使用
第5题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单
Ⅱ.DRAM比SRAM成本高
Ⅲ.DRAM比SRAM速度快
Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新
其中哪两个叙述是错误的?
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第6题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
① SRAM比DRAM存储电路简单
② SRAM比DRAM成本高
③ SRAM比DRAM速度快
④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
A.①和②
B.②和③
C.③和④
D.①和④
第7题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第8题:
下面关于SRAM、DRAM存储器芯片的叙述中,正确的是:
A.SRAM和DRAM都是RAM芯片,掉电后所存放的内容会丢失
B.SRAM的集成度比DRAM高
C.DRAM的存取速度比SRAM快
D.CPU中的Cache既可用SRAM构成也可用DRAM构成
第9题:
下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高
Ⅱ.SRAM比DRAM成本高
Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
其中正确的叙述是
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第10题:
SRAM和DRAM都是随机读写存储器,它们共同的特点是数据可读可写。()