第1题:
PFM冠上釉时的炉温是
A、与体瓷的烧结温度相同
B、低于体瓷烧结温度6~8℃
C、低于体瓷烧结温度10~20℃
D、高于体瓷烧结温度6~8℃
E、高于体瓷烧结温度10~20℃
第2题:
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的( )。
A.点火温度
B.最高温度
C.平均温度
第3题:
上釉的烧结温度是( )。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第4题:
刚开始出现烧结温度与刚开始出现结大块时温度的差值叫()。
第5题:
烧结过程中,碳酸钙的分解温度介于()温度区间。
第6题:
第7题:
某技师采用二次法烧结遮色层,第一层烧结与第二层烧结之间温度的关系是
A.第一层与第二层烧结温度一致
B.第一层烧结温度比第二层低30~50℃
C.第一层烧结温度比第二层低10~20℃
D.第一层烧结温度比第二层高10~20℃
E.第一层烧结温度比第二层高30~50℃
第8题:
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是( )。
A.低于体瓷烧结温度5℃
B.低于体瓷烧结温度10℃
C.高于体瓷烧结温度5℃
D.高于体瓷烧结温度10℃
E.以上均不正确
第9题:
生料加热煅烧控制所必须的最少的液相量时的温度叫()。
第10题:
烧结温度是指烧结料层中某一点达到的()。