理学
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相似问题和答案
第1题：
反应离子腐蚀是（）。
- A、化学刻蚀机理
- B、物理刻蚀机理
- C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
正确答案:C
第2题：
刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。
正确答案:刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料，一般用于亚微米尺寸。
湿法刻蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。
第3题：
刻蚀方法有哪些?()
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
正确答案：ABC
第4题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
- A、干法刻蚀、湿法刻蚀
- B、离子束刻蚀、激光刻蚀
- C、溅射加工、直写加工
- D、以上都可以
正确答案:A
第5题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
- A、n型掺杂区
- B、P型掺杂区
- C、栅氧化层
- D、场氧化层
正确答案:C
第6题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
第7题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
- A、单晶硅刻蚀
- B、多晶硅刻蚀
- C、二氧化硅刻蚀
- D、氮化硅刻蚀
正确答案:A
第8题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
- A、等离子体刻蚀
- B、反应离子刻蚀
- C、湿法刻蚀
- D、溅射刻蚀
正确答案:D
第9题：
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
- A、二氧化硅
- B、氮化硅
- C、单晶硅
- D、多晶硅
正确答案:A
第10题：
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。